晶体管

CMOS逻辑高压晶体管（富士通微电子）

富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世

IBM研发速度达26GHz的石墨烯晶体管

IBM宣布研发出号称全世界速度最快的石墨烯(graphene)场效晶体管(FET)，可在26GHz频率下运作。该公司Thomas J. Watson研究中心的研究人员并预测，碳元素更高的电子迁移率，可望使该种材料超越硅的极限，达到100GHz以上

英特尔完成下一代32纳米芯片开发工作

据报道，英特尔公司完成了下一代制造工艺的开发工作，进一步把芯片电路缩小至32纳米。英特尔计划将于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶体管的产品。 英特尔公司将于下周在旧金山举行的国际电子器件会议（IE

科学家制成首个等离子晶体管

北京时间11月17日消息，据国外媒体报道，自从20世纪40年代晶体管出现以来，它一直是电脑和其他现代电子装置的核心元件。晶体管的作用是接通、关闭或者增强电流，晶体管有各种形状、大小和材质，这些主要根据它的用途

美国科学家制成首个等离子晶体管

计算机世界：石墨烯晶体管延续摩尔定律

众所周知，根据半导体业著名的摩尔定律，芯片的集成度每18个月至2年提高一倍，即加工线宽缩小一半。人们普遍认为，这一定律还能延续10年。提出该定律的摩尔本人也曾公开表示，10年之后，摩尔定律将很难继续有效，因为

芯片节能：由高性能到高效能引发变革

不知从何时起，芯片厂商将产品的宣传语由“高性能”改成了“高效能”。“性能”在《现代汉语词典》中的解释是“机械或是其他工业制品对设计要求的满足程度”，而“效能

台积电明年32nm量产 22nm将2011年投产

根据台积电最新技术蓝图，2009年32纳米制程将放量生产，22纳米制程则于2011年投产。台积电研发副总孙元成指出，32纳米制程之后晶体管成本快速增加，投入18吋(450mm)晶圆或许是进一步降低成本方法之一，但预计最快要

英特尔计划在IEDM上推出32纳米工艺

在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会(IEDM)，英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。 根据IEDM文件，英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片，单元尺寸为0.17

晶体管热阻测试系统的设计与实现

晶体管双稳态触发电路图

常用的控制基极的晶体管电子继电器

图a为NPN型晶体管利用+Ec电源控制的电子继电器。 图b为NPN型晶体管接地控制电路。 图c为PNP型晶体管利用-Ec控制的电子继电器。 图d是有自生偏压的电子继电器。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=e

晶体管放大倍数测试电路图

晶体管fT挑选电路图