“帮了自己大忙的是学位和人缘”、“在Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies)公司,人脉扩大到了以前的10倍,在同志社大学又扩大了10倍”——汤之上隆回顾自己辗转职场的人生时这样说。 笔者见到汤之
连美国自己都难再复制的硅谷究竟有什么可被远在大洋彼岸的中国复制?“外来者”又应该复制硅谷的什么东西以及如何给予支持?2004年的某一天,中国某高科技投资园区的几位人员来到位于硅谷Menlo Park的Sand H
2009年IDF(英特尔开发者论坛)日前在美国举行,作为全球半导体行业的风向标,今年的IDF上,英特尔带来了全球第一块22纳米制程技术的芯片,同时,还宣布推出智能手机平台Moorestown,该平台不仅能让新一代的智能手机
Intel信息技术峰会,美国旧金山——2009秋季Intel信息技术峰会于9月22日至24日在美国旧金山举行。下面是来自Intel的高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Bob Baker的讲话,作为第一天主题演讲的主要内容及新闻亮点,他
本文将说明这种解决方案的重要性,并解释应用时需要知道的一些基础理论。经过深入研究后你会发现后续步骤只是简单的点击鼠标而已。
2009秋季英特尔信息技术峰会于9月22日至24日在美国旧金山举行。下面是Bob Baker第一天主题演讲的主要内容及新闻亮点。Bob Baker:“引领硅技术创新”(Silicon Leadership – Delivering Innovation)英
韩国科学家成功开发出一种全新的晶体管,其反应速度和能源效率比现有晶体管更快更好,令不需启动过程的电脑有望实现。韩国科学技术研究院(KIST)说,这种晶体管除了像现有晶体管般运用电流开关,也运用电子的顺时逆时
Intel高级副总裁:Intel不懈努力寻求延续摩尔定律
叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引起的一系列短沟道效应,进而描述整个MOS管模型的发展历史,以此说明一个精确模型对模拟电路设计的重要意义。然后进一步阐述因MOS管失配而引起电路性能变差,尤其是对整个D/A转换器性能的影响;进而采用改进技术,并对其进行了进一步验证。针对放大器引起的失调,介绍通过版图设计消除失配的原理,并且运用电路设计方法进行消除,采用TSMC0.25μm标准CMOS工艺参数对其进行仿真验证。针对D/A的电流源失配引起的电路性能变差,采用了电流源自校准技术,并对这种方法进行了仿真验证,取得了不错的成果。
本文讲述了双晶体管正激有源钳位软开关电源的工作原理,并给出实际产品双晶体管的工作波形。该电路结构中,功率开关管的电压应力小,并工作于ZVS导通和关断,减小开关功耗,降低了EMI。
今年3月,美国专利商标局评选出本年度15位入选“美国发明家名人堂”的科学家,赛灵思公司共同创办人、FPGA(现场可编程门阵列)的发明者RossFreeman赫然在列。“美国发明家名人堂”是美国专利商标
可导电的塑料将可催生更便宜、更薄也更具可挠性的电子组件,而这种技术已经运用在部分电子产品上,例如Sony在今年夏天推出的随身听与Microsoft近日推出的Zune HD音乐播放机,都配备了OLED显示器。 不过到目前为止,用
7月30日消息,50年前的今天,时任仙童半导体公司总经理的罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)提交了一份专利申请,宣布可以利用平面制造工艺来生产半导体集成电路,这为全世界的半导体产业带来了革命性的变化。1968年,诺