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台积电宣布与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品
2月21日消息，台积电昨日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。 台积电 台积电与意法半导体将合作加速氮化镓（Gallium Nitrid
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意法半导体与台积电携手合作，提高氮化镓产品市场采用率
·加快先进功率氮化镓解决方案的开发和上市 ·充分利用意法半导体的汽车市场专业知识和台积电的世界领先的制造技术 ·改进宽带隙产品的能效，使功率转换应用获得更高能效
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台积电宣布：将与意法半导体合作，加速氮化镓(GaN)技术开发
台积电昨日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。
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纳微半导体65W氮化镓(GaN)方案获小米10Pro充电器采用
充电技术推动小米投资纳微(Navitas)半导体
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33家厂商66款：氮化镓快充集中爆发 还有NVIDIA
作为世界上最大的消费类电子技术年展以及全球最大的消费技术产业盛会，CES 2020于1月7日-1月10日在拉斯维加斯举办。就氮化镓快充而言，上我们看到了很多熟悉的参展企业，如ANKER、AUKEY、B
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美富达参加CES2020：100W氮化镓快充充电器即将亮相
1月7日-1月10日，CES2020将在美国拉斯维加斯举行，深圳市美富达电子有限公司展位设在SOUTH HALL4 35359。据了解，美富达将在本次展会中展出全系列USB PD快充产品，其中包括10
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宜普电源转换公司(EPC)推出基于车规级氮化镓(eGaN®)技术的飞行时间(ToF)演示板，可在高达28A并具1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光
EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大电流脉冲–电流可高达28A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。
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GTC推出首款65W氮化镓车载充电器参考设计：仅硬币大小
GTC为业界领先的高频驱动设计和制造厂商，其半桥驱动芯片GT7753以其在高频驱动的优越表现，在工业和军工产品中被广泛应用。 目前GTC基于南芯的SC8703升降压IC和EPC第三代半导体EPC204
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为增强型GaN功率晶体管匹配门极驱动器
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。
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Navitas联合Baseus倍思推出世界上最小的65W-2C1A 3口充电器
Navitas Semiconductor近日宣布与Baseus合作推出采用GaNFast(氮化镓)功率IC技术的65W“2C1A”三口移动充电器，该充电器集全球最小、最轻、便携性于一体。
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Navitas纳微半导体在亚洲高级电力电子会议上展示在GaN（氮化镓）功率器件领域的领导地位
Navitas 纳微半导体近日宣布将于2019年11月1日至4日在中国深圳举行的中国电源学会(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技术驱动的手机快速充电器。
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PI PowiGaN技术另辟蹊径 引爆氮化镓在消费电子领域商用
硅技术正在接近其极限，但应用市场仍然需要更快、需高效的电路。半导体行业不得不从材料入手，氮化镓就是一种被誉为第三代半导体未来的明星材料。对氮化镓的研究早在多年前就已开始，氮化镓是一种宽禁带材料，它的带
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贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器，高频应用的好选择
2019年9月26日–专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开始备货Texas Instruments(TI)LMG1210 200V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。
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超越SOI，Soitec将优化衬底技术向GaN、SiC扩展
Soitec是全球优化衬底最大的制造商，凭借其两个核心技术-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec为行业提供创新的材料及优化衬底设计，这些创新被用于加工晶体管，从而为智能手机、汽车、云、物联网等领域的终端产品带来
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PI推出氮化镓双口PD快充参考设计：输出功率可达90W
8月23日，在充电头网举办的2019（秋季）USB PD＆Type-C亚洲展上，深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations发布了内置氮化镓功率开关的InnoSw
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全氮化镓器件将是明确发展方向
氮化镓单晶材料非常重要，从技术上已经可以生产2英寸、4英寸和6英寸，但产业的真正发展还需要和器件的用户共同推进。
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基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A
在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。2013年7月23日 -- 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。
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双USB-C口60W！ANKER大功率氮化镓充电器上市
今年3月，使用氮化镓功率器件的ANKER 30W GaN PD 1充电器终于在国内上市，圆润小巧的体积却拥有30W输出功率，收获好评如潮。 今天，ANKER再次上架了一款全新的氮化镓充电器ANKER
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国产氮化镓量产：专为大功率超薄USB PD充电器设计
氮化镓GaN FET是目前全球开关速度最快的功率器件之一，因其开关损耗小， 在开关速度很高的情况下仍保持高效率水平，同时可搭配更小的变压器，从而让充电器尺寸大幅度缩小，提升用户的使用体验。从供应链了解
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新推出的HMC8205氮化镓功率放大器
据报道，半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 3月6日起备货Analog Devices， Inc的HMC8205氮化镓 (GaN) 功率放大器。
