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年产36万片砷化镓/氮化镓微波射频芯片！立昂微5亿元设子公司，推进微波射频项目
近日，杭州立昂微电子股份有限公司(以下简称“立昂微”)发布公告，投资5亿元在浙江海宁市设子公司，海宁立昂东芯微电子有限公司(暂定名，以下简称“海宁公司”)。专项负责推进、实施微波射频集成电路芯片项目。
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缩小高效充电器的尺寸
提供最紧凑、最高效的US-PD充电器已成为渴望在这个竞争激烈的市场中抢占份额的配件厂商的要求。随着手持设备的功能不断增加，以及快速充电协议成为标准，提供更多的电力已是一项关键要求。这些相互制约的设计要求正在催生一系列新的解决方案，这些方案当中要求离线反激式电源设计中PCB电路空间使用率必须最大化，此类标准解决方案要满足高达100W的充电器应用。
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迎接氮化镓的新浪潮
ST在接受EE-Times采访时强调了这个新平台如何通过提供更轻的方案，3倍充电时间以及80%的系统体积缩小。
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针对电动汽车应用，氮化镓的优势有哪些
为了解决诸如行驶距离，充电时间和价格等消费者关注的问题，以加速电动汽车(EV)的采用，全球的汽车制造商都要求增加电池容量和更快的充电能力，而尺寸，重量或组件成本却不能增加。
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氮化镓功率器件增长达 90.6% ,为什么GaN器件得到了发展?
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。TrendForce 集邦咨询近日发布了 GaN 氮化镓市场调查报告。
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Nexperia与联合汽车电子有限公司就氮化镓领域达成深度合作
满足新能源汽车动力系统不断提升的技术需求
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碳化硅、氮化镓有什么差别？
人工智能（AI）、边缘运算与万物联网趋势，带来无所不在的感测、通讯与功率解决方案需求，化合物半导体的重要性也随之暴增。从资料中心里的服务器、网通设备，到手机上的 RF 功率放大器，以及为所有电子元件供应电力的功率元件，都将因化合物半导体的普遍运用，在性能上出现重大突破。
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宜普电源转换公司(EPC)在全数字国际消费电子展(CES®)展示基于氮化镓技术的消费电子应用
欢迎您与氮化镓(GaN)技术专家一起在CES的EPC虚拟展台中，探索基于更高效、更小尺寸和更低成本的氮化镓场效应晶体管和集成电路的解决方案，如何增强消费电子产品的功能和性能。
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采用氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)实现薄型且高效的同步降压转换器
随着计算机、显示器、智能电话和其它消费类电子系统变得越来越纤薄且功能越来越强大，对更纤薄的DC/DC功率解决方案的需求日益增长之同时，需要保持高功率密度和高效率。
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第三代半导体氮化镓功率芯片研发成功
据昨日报道，我国成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，该芯片实验室来自重庆邮电大学。
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采用氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)实现薄型且高效的同步降压转换器
随着计算机、显示器、智能电话和其它消费类电子系统变得越来越纤薄且功能越来越强大，对更纤薄的DC/DC功率解决方案的需求日益增长之同时，需要保持高功率密度和高效率。
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一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管解析
随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如氮化镓场效应管。
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值得了解的适合智能照明应用的新器件LYT6078C解析
随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如隔离型LED驱动器IC。
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从首款600V氮化镓（GaN）功率器件来谈氮化镓技术
随着社会的发展，电子产品也在不断更新，那就需要更好的电子元器件技术，其中越来越流行的就包括氮化镓技术，那么你知道什么是氮化镓吗?
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随着器件功耗的增加，氮化镓技术正走向成熟
随着技术的发展，对功率的需求也在增加。氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)材料逐渐彰显其作为新一代功率半导体骨干材料的潜力。这类材料功耗更低，性能却优于那些已趋成熟的硅器件。
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InnoSwitch IC销量突破10亿颗! Power Integrations继续保持良好势头
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)近日宣布，突破性的InnoSwitch™系列IC的出货量已超过10亿颗。InnoSwitch产品系列于2014年推出，是第一个采用Power Integrations创新的FluxLink™通信技术的产品，该技术无需光耦即可提供高精度的次级侧控制，从而实现优异的能效、可靠性和耐用性。
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你知道200 V 氮化镓产品系列（eGaN®FET）吗？
什么是200 V 氮化镓产品系列(eGaN®FET)?新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。
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氮化镓，日本加大力度研究的新一代半导体材料
据日本媒体报道，日本经济产业省(METI)加大对新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的重视，为致力于开发新材料的企业提供大量财政支持，及METI将为明年留出大约2030万美元去资助相关企业，预计未来5年的资助将超过8560万美元。
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iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。
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宜普电源转换公司(EPC)最新推出100 V eGaN®FET产品,为业界树立全新性能基准
新一代100 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件。
