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Power Integrations发布基于氮化镓的InnoSwitch3 AC-DC变换器IC
先进的氮化镓(GaN)技术可大幅提高功率和效率
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CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系，共同研发解决方案推动碳化硅功率器件广泛应用
带有耐高温驱动器的碳化硅功率模块将助力新能源汽车领域加快发展
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Soitec收购EpiGaN nv，优化衬底产品整合氮化镓(GaN)优势
法国Soitec半导体公司日前宣布，已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议，以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时，这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF(射频)、5G、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内，GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。
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车规级80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷达系统看得更清晰
宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管，该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。
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第三代半导体材料GaN对5G如此重要，各国布局如何？
氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料，属于第三代半导体，具备良好的导热率、抗辐射能力、击穿电场和电子饱和速率。其在微波射频领域的应用器件主要包括GaN高电子迁移率晶体管(HETM)和GaN单片微波集成电路(MMIC)，均可用于通讯基站。
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69W超级快充！双USB-C口氮化镓充电器曝光
今天媒体从供应链获悉了一款双USB-C口氮化镓充电器，总功率69W。从爆料的图片上可见，具有三个USB充电输出接口，其中USB-C口2个，这两个口都具备USB PD快充功能;另一个USB-A口，采用了绿色胶芯，暗示支持VOOC等超级快充。
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宜普电源转换公司（EPC）第十阶段可靠性测试报告的亮点 是车规级氮化镓器件超越AEC-Q101应力测试的认证标准
继第一至第九阶段可靠性测试报告后，EPC公司的第十阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对超过30,000个元件进行了超过1,800万小时的应力测试后，没有器件发生故障。在过去的两年间，我们所付运的数百万个元件没有发生现场失效的情况。
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氮化镓是未来的硅？
相对硅，氮化镓拥有跟宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力，并且可以承受比硅更高的电压。简而言之，相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。
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Anker推出全球首款氮化镓充电器：最大输出功率达27W功率
氮化镓(GaN)被业界称为第三代半导体材料，应用范围非常广，包括半导体照明、激光器、射频等，而用在充电器上可在超小体积上实现大功率输出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化镓材料的充电器，型号“P
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未来十年氮化镓市场规模有望突破10亿美元
虽然目前市面上的应用主要以硅基器件为主，但在一些高功率、高电压应用中，硅基器件有些捉襟见肘，而氮化镓和碳化硅却能很好地满足这些应用场景。这主要是因为，他们属于宽禁带半导体材料，与硅等传统的半导体材料相比，具有更宽的带隙。其中硅的带隙是1.1电子伏特，氮化镓是3.4电子伏特。
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氮化镓走出实验室：ANKER GaN充电器全球首发
2018年10月25日，ANKER在美国纽约发布了一款划时代的新品 —;—;—;“ANKER PowerPort Atom PD1”GaN充电器，这款充电器由于其搭载了高频高效的GaN（氮化镓）功率器
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英飞凌氮化镓解决方案投入量产
英飞凌科技股份公司携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。
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尺寸减半、功率翻番！——氮化镓（GaN）技术给机器人、可再生能源和电信等领域带来革新
硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸规格下，硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络，以及未来的机器人、可再生能源直至数据中心技术，功率都是一个至关重要的因素。
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德州仪器新型即用型600V GaN FET功率级产品组合可支持高达10kW的应用
德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN)，50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。
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ST和Leti合作开发硅基氮化镓功率转换技术
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。
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EPC推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓功率晶体管
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。
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基于氮化镓（eGaN®）技术的汽车应用即将到来
宜普电源转换公司(EPC)的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。
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宽禁带技术 – 下一代功率器件
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
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氮化镓（GaN）技术推动电源管理不断革新
任何电源管理系统的核心是开关，可以打开和关闭电源。它就像墙上的照明开关一样，但是速度会数百万倍地快，尺寸会数百万倍地小。效率(低损耗)、可靠性、集成度和可负担性是半导体电源开关的关键属性。
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总投资60亿 英诺赛科宽禁带半导体项目落户吴江
近日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，
