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海力士半导体将投资2.31亿美元以提高芯片产能
11月19日电全球第二大计算机存储芯片制造商海力士半导体(Hynix Semiconductor)周五表示，计划投资2610亿韩圜(约合2.31亿美元),，以提高和升级芯片产能。该公司对证交所表示，上述投资将于12月底做出。
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海力士M8产线将以代工为重心
海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用
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海力士将活用M8厂强化代工事业
海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用
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台积电购买二手设备
晶圆代工厂台积电积极扩产，除扩充12寸先进制程产能外，亦积极扩充8寸产能，3日公告斥资5.48亿元，购买海力士(Hynix)美国厂的8寸设备，主要用以扩充台湾8寸厂与大陆松江厂产能。 台积电2010年积极扩产，日前法说会中
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台积电扩充产能
晶圆代工厂台积电积极扩产，除扩充12寸先进制程产能外，亦积极扩充8寸产能，3日公告斥资5.48亿元，购买海力士(Hynix)美国厂的8寸设备，主要用以扩充台湾8寸厂与大陆松江厂产能。台积电2010年积极扩产，日前法说会中，
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台积电买海力士二手八寸设备
晶圆代工厂台积电积极扩产，除扩充12寸先进制程产能外，亦积极扩充8寸产能，3日公告斥资5.48亿元，购买海力士(Hynix)美国厂的8寸设备，主要用以扩充台湾8寸厂与大陆松江厂产能。台积电2010年积极扩产，日前法说会中，
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台积松江厂 Q3获利旺
台积电（2330）上海松江厂第三季税后纯益5.67亿元，不仅持续获利，季增幅更高达一倍。为扩大松江厂营运规模，台积电斥资逾5亿元收购海力士（Hynix）美国厂二手8吋机台，加快达成松江厂月产能达11万片目标，放大获利
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海力士半导体第三季营业利润为1.01万亿韩圜
海力士半导体(000660.KS:行情)公布第三季财报,季度获利为纪录第二高,因出货量增加,且产品重心转向高价值晶片,缓解了普通芯片价格大幅下降带来的影响.海力士半导体周四公布7-9月当季综合营业利润为1.01万亿(兆)韩圜(合
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海力士Q3获利翻5倍
受惠于出货成长及转进优势芯片的策略奏效，南韩海力士半导体第三季营业利益创下历史次高记录。海力士预估，内存芯片价格将于明年第一季开始止跌回稳。海力士周四公布，第三季营业利益为1.01兆韩元(8.849亿美元)，超越
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明年量产20纳米NAND Flash
海力士社长权五哲表示，自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势，然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争
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韩半导体LCD大厂首长明年市场将有起色
12日三星电子（SamsungElectronics）半导体事业部长权五铉和海力士半导体（Hynix）社长权五哲出席12日~15日于南韩一山Kintex举办的2010韩国电子事业大展，受访时表示，价格跌幅将可能持续到2011年第1季，但2011年上半
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海力士拟明年量产20纳米NAND Flash
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自
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DRAM价格连跌5月 三星、海力士4Q营收不乐观
DRAM内存半导体价格跌势持续第5个月，韩厂三星电子(SamsungElectronics)和海力士半导体(Hynix)等内存公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。据内存市场研究机构DRAMeXchange统计，DRAM主要产品DDR3在10月上半时平均
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海力士拟明年量产20奈米NANDFlash
南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NANDFlash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(TabletPC)等装置，相较26奈米内存，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自2010年8月投
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海力士半导体跟Electro Scientific采购晶片设备
(ESIO) 11.60 :ElectroSCientific宣布，南韩海力士半导体(Hynix)委托订单，采购9850TPIR+雷射连结处理系统。
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存储市场变战场 异业结盟抗衡海力士惠普
存储器业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、相变化存储器(Phase Change RAM；PRAM)和磁性随机存取存储器(Magnetic RAM；MRAM)等次世代存储器，将会有一番激烈竞争。 尔必达在存储器领域布局越来越广泛，2010年取得已
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海力士半导体和尔必达劲扬,此前英特尔公布第四季强劲财测
亚洲芯片(晶片)类股周三由海力士半导体(000660.KS:行情)和尔必达记忆体(ElpidaMemory)(6665.T:行情)领涨,涨幅逾2%,此前英特尔INTC.0公布第四季强劲财测引发市场寄望科技板块今年可拿出亮丽成绩单.英特尔公布第四季乐
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异业结盟激战存储市场尔必达携手夏普抗衡海力士惠普
继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代存储器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术和材料，尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代存储器技术研发掀起跨领域结盟热潮，存储器业者预期
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异业结盟激战存储市场 尔必达携手夏普抗衡海力士惠普
继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代存储器ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技术和材料，尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代存储器技术研发掀起跨领域结盟热潮，存储器业者预
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受DRAM芯片价格下跌 海力士半导股价大跌5.1%
海力士半导体(000660.KS:行情)股价周一扩大跌幅至逾5%,分析师称因市场在财报高峰前夕感到不安,且担心记忆体芯片价格的前景."市场似乎更加担心记忆体芯片,尤其是动态随机存取记忆体(DRAM)芯片的定价."HanaDaetooSecur
