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海力士拟明年量产20奈米NANDFlash
时间：2010-10-19 10:52:57
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[导读]南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NANDFlash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(TabletPC)等装置，相较26奈米内存，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自2010年8月投
南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NANDFlash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(TabletPC)等装置，相较26奈米内存，晶圆(wafer)产出量提高约25%。
海力士社长权五哲表示，自2010年8月投入量产的26奈米64GbNANDFlash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20奈米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势，然而NANDFlash产品技术方面在过去1、2年落后其他竞争业者，但开始量产26奈米NANDFlash之后，相信技术方面与其他先驱企业间的差距已大幅缩减。
海力士在30奈米制程NANDFlash开发及量产上虽然较其他竞争公司晚了近6个月，但推出26奈米产品后则将差距缩减至1季。外界也期待海力士是否能与其他竞争公司在相近的时期中推出20奈米产品。
海力士2010年第2季末32奈米以下NANDFlash产品比重约占整体产品30%，8月量产26奈米产品后，第3季末产品比重已超越50%。第4季则将可望达到70%。
海力士2007年NANDFlash产品占有率约19%，其后市场萎缩，接连关闭NANDFlash主要产线8吋厂，2010年第1季时市占率已下滑至个位数。
以12吋厂为基准，三星电子(SamsungElect!ronics)每月产量30万片、日厂东芝(Toshiba)每月产量24万片，海力士目前每月产量仅7万片。海力士计划年底前将产能扩大至8万片，但权五哲对于扩大NANDFlash投资方面则慎重表示，将会综合考虑市场条件和竞争力等因素后，再进行投资。2011年投资金额目前尚未底定。
海力士2010年包含将DRAM生产设备转换为NAND生产设备等，在NANDFlash领域约投资1兆韩元(约8.96亿美元)。
海力士社长权五哲表示，自2010年8月投入量产的26奈米64GbNANDFlash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20奈米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势，然而NANDFlash产品技术方面在过去1、2年落后其他竞争业者，但开始量产26奈米NANDFlash之后，相信技术方面与其他先驱企业间的差距已大幅缩减。
海力士在30奈米制程NANDFlash开发及量产上虽然较其他竞争公司晚了近6个月，但推出26奈米产品后则将差距缩减至1季。外界也期待海力士是否能与其他竞争公司在相近的时期中推出20奈米产品。
海力士2010年第2季末32奈米以下NANDFlash产品比重约占整体产品30%，8月量产26奈米产品后，第3季末产品比重已超越50%。第4季则将可望达到70%。
海力士2007年NANDFlash产品占有率约19%，其后市场萎缩，接连关闭NANDFlash主要产线8吋厂，2010年第1季时市占率已下滑至个位数。
以12吋厂为基准，三星电子(SamsungElect!ronics)每月产量30万片、日厂东芝(Toshiba)每月产量24万片，海力士目前每月产量仅7万片。海力士计划年底前将产能扩大至8万片，但权五哲对于扩大NANDFlash投资方面则慎重表示，将会综合考虑市场条件和竞争力等因素后，再进行投资。2011年投资金额目前尚未底定。
海力士2010年包含将DRAM生产设备转换为NAND生产设备等，在NANDFlash领域约投资1兆韩元(约8.96亿美元)。
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