将新加坡特许半导体融入GlobalFoundries之后,阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)又宣布与韩国半导体产业协会(KSIA)签署谅解备忘录,在半导体行业展开全面合作。 根据备忘录,ATIC和KSIA会寻求与阿联酋、韩国各自
在三星电子(Samsung Electronics)支付美国对手Rambus高达9亿美元的和解金后,双方备受关注的存储器芯片争讼宣告结案。目前还剩下海力士(Hynix)、美光(Micro)、其它芯片业者与Rambus缠讼。Rambus先前指控这些厂商,涉
据彭博(Bloomberg)报导,全球第2大芯片制造商三星电子(SamsungElectronics)同意支付9亿美元,结束所有和美国芯片设计业者Rambus的专利诉讼,同时,双方已拟定新的计算机存储器技术授权协议。 三星、Rambus共同发表声
全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报,随著全球个人计算机(PC)景气回温,海力士获利创下3年来新高。 2009年第4季海力士营收为2。8兆韩元(约24。7亿美元),较第3季大幅成长32%,海力士营收成
海力士半导体公司高管Kim21日表示,2010年全球芯片市场需求可能将实现供求平衡,并称,一季度海力士半导体DRAM及NAND售价将双双下滑。 综合外电1月21日报道,海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc)投资关系部副主
将新加坡特许半导体融入GlobalFoundries之后,阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)又宣布与韩国半导体产业协会(KSIA)签署谅解备忘录,在半导体行业展开全面合作。根据备忘录,ATIC和KSIA会寻求与阿联酋、韩国各自的
据国外媒体报道,由于计算机内存芯片供不应求可能有助于利润创下4年来新高,全球第二大内存芯片厂商海力士计划今年偿还逾1万亿韩元债务(约合8。88亿美元)。 海力士首席执行官金钟甲(KimJong-kap)日前在接受采访时表
据彭博(Bloomberg)报导,海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示,2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品,同时,海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率,并倍增NANDFlash的产能。 根据研究机构iSup
据彭博(Bloomberg)报导,海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示,2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品,同时,海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率,并倍增NAND Flash的产能。根据研究机构iSup
业内人士日前透露,美国金士顿科技公司(Kingston Technology )预付了1亿美元给韩国海力士半导体公司以购买其2010年需要的内存和NAND闪存. 此外,该业内人士还表示,总部在台湾的威刚科技(a-data technology)正在寻求途
虽是岁寒时节,无锡大地依然生机勃勃,处处展现出昂扬奋进的势头。1月16日至17日,中共中央政治局常委、全国人大常委会委员长吴邦国来无锡调研。他在省委书记、省人大常委会主任梁保华,省长罗志军,省委常委、无锡市
韩国海力士半导体的债转股股东,将对出售的股份规模持灵活态度,这部分股票市值最高达35亿美元。这些股东计划在今年上半年挑选出一买家。 这些股东包括韩国外换银行和国有的韩国金融公司(KoreaFinanceCorp),共同持
2010年存储器产业热度急速升温,许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂,纷积极募资抢钱,而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱,未来再以货源抵债,近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援,
2010年存储器产业热度急速升温,许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂,纷积极募资抢钱,而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱,未来再以货源抵债,近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援,
综合外电1月6日报道,阿布扎比政府属下的阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)6日称,公司无意收购韩国海力士半导体(HynixSemiconductorInc。)股份。 公司首席执行官阿贾米(IbrahimAjami)电话告诉媒体称,“这与ATIC没
国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息,韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出,预估将从1兆韩元调高至1.5兆韩元,相当于12.7亿美元,虽然以全球的角度来看,2010年的资本支出仍高居全球第三大,然经此一调高
国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息,韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出,预估将从1兆韩元调高至1。5兆韩元,相当于12。7亿美元,虽然以全球的角度来看,2010年的资本支出仍高居全球第三大,然经此一
据华尔街日报(WSJ)报导,韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现,将提升资本支出并扩张产能。 海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示,2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑,此外,预期2010
韩国存储器厂海力士(Hynix)于2009年12月20日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM,工作频宽为7Gbps,32位元I/O通道,数据处理速率每秒28GB/s,电压为1。35V。 新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造,体积
12月17日消息,日本半导体设备协会(SEAJ)今日表示,11月日本芯片设备订单出货比为1.18,不及10月时的1.28。11月数据意味着每完成100日元的产品出货,接获价值118日元的新订单。记忆体芯片厂商三星电子和海力士半导体