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[导读]国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息,韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出,预估将从1兆韩元调高至1。5兆韩元,相当于12。7亿美元,虽然以全球的角度来看,2010年的资本支出仍高居全球第三大,然经此一

国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息,韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出,预估将从1兆韩元调高至1。5兆韩元,相当于12。7亿美元,虽然以全球的角度来看,2010年的资本支出仍高居全球第三大,然经此一调高,海力士明年资本支出规模已经接近华亚科(3474)的13。85亿美元,且资本支出的规模也是2007年的高峰以来,最大规模的一次行动。

目前已知将调高资本支出的国际厂商包括尔必达、三星半导体、华邦电,上周25日,韩国大厂海力士也跟进宣布调高资本支出。

根据外电指出,海力士在呈交韩国证交所的文件中指出,该公司2010年的资本支出将调高至1。5兆韩元以上,较原先预估的1兆韩元,大幅增逾50%,在2010年度的资本支出当中,多数投资将用来提升制程技术以及因应研发。

日前集邦科技(DRAMeXchange)公布的2010年全球DRAM厂资本支出统计中,海力士的资本支出约7亿美元,规模仅次于三星半导体的25。78亿美元,以及华亚科的13。85亿美元,然海力士调高之后的资本支出,虽然还是高居全球第三大,却与华亚科的13。85亿美元趋近。

海力士的资本支出在2007年达到历史巅峰,达23。12亿美元,之后就呈现逐年衰退的情况,2010年已经是2007年的高峰之后,首度突破10亿美元的资本支出,以明年全球DRAM厂合计资本支出达78。5亿美元计算,海力士的规模约当全球的16。1%。

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