现象一:这板子的PCB设计要求不高,就用细一点的线,自动布吧点评:自动布线必然要占用更大的PCB面积,同时产生比手动布线多好多倍的过孔,在批量很大的产品中,PCB厂家降价所考虑的因素除了商务因素外,就是线宽和过
方案特点:* 性能稳定、成本低* 功能全面(电压、电流、功率、频率、有功、无功、实在功率、功率因素)方案简介该解决方案采用德州仪器MSP430AFE253IPW,带3路sigma-delt 24Bit ADC,通讯接口可采用SPI或UART,可精确计
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
1 概述PHILIPS 51LPC系列单片机目前已包括P87LPC760/1/2/4/7/8/9共七个型号。51LPC提供高速和低速的晶振和RC振荡方式,可编程选择;具有较宽的操作电压范围2.7~6.0V,可编程I/O口线输出模式选择,可选择施密特触发输
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
日经新闻2日报导,东京大学荒川泰彦教授与田边克明副教授等人已研发出一套基础技术,可将PC关键零件「LSI(大规模积体电路)」的耗电力降至现行的约1/100,之后并计划于5年内完成试作品。据报导,关于上述LSI的技术细节
如图所示的是金星两片机电源电路图,该电源也称X53P电源或X56P电源,在国产的各种型号、各种尺寸的彩电中有着广泛的应用,区别在于各型号的彩电上所标的电路位号有所不同,但电路程式是完全一样的,以金星C498为例,
1 概述PHILIPS 51LPC系列单片机目前已包括P87LPC760/1/2/4/7/8/9共七个型号。51LPC提供高速和低速的晶振和RC振荡方式,可编程选择;具有较宽的操作电压范围2.7~6.0V,可编程I/O口线输出模式选择,可选择施密特触发输
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
制作一个高质量的电荷放大器确实非常困难,首先要选取最合适的芯片,为什么一般的运放不适合做电荷放大器呢?因为电荷放大器的反馈电阻非常大,通常在150M欧姆以上,如果要制作频带响应非常好的电荷放大器,则反馈电阻
由于数字电路是利用上升沿/下降沿很短的脉冲信号,所以会向外部放出包括高频成分的多余电磁波(噪声),而且对外部来的电磁波(噪声)敏感地响应,造成误动作。另外在电路内部也存在线间产生交调失真、数字器件的通/断时
“木林森MLS(光源世家)与飞利浦Lumileds此次的战略合作,其实已经代表了LED行业高度聚合的一种大方向因为,这是从上游LED芯片商(Lumileds)到中游封装制造(木林森全球光源基地)再到下游品牌商(MLS)整条产业链的彻
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
白光LED应用于LCD背光源或其他照明时,为什么需要以设定电流的方式来驱动它?原因如下。①采用设定电流的方式可保证白光LED工作在其额定电流的范围内,因此提高了白光LED工作的可靠性。②可以获得预期的白光LED工作电
稳定驱动白光LED的电流对白光LED驱动IC而言是最重要的技术特性。因锂离子电池的输出电压会随着消耗情况在3.2~4.1V之间变动,白光LED的正向电压UF大约会在3.0~3.8V范围内变动,故如何针对上述变动特性抑制白光LED的
数字信号主要的频率分量都位于它的转折频率以下。转折频率FKNEE与脉冲上升时间TR相关,而与传播延迟、时钟速率或转换频率无关: 信号传播的整个路径,包括器件封装、电路板布局以及连接器等,如果要它们正确地分发转