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CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果
2019年7月16日,CISSOID今日宣布，公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。
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深入剖析碳化硅：罗姆为你揭示背后的成本秘密
作为第三代半导体中的明星，碳化硅因为其独有的特性和优势受到各方青睐。尤其是时下电动汽车市场的火爆，助推了碳化硅器件的发展与应用。不过，作为新兴事物，碳化硅器件的产品良率及价格问题使得其应用变得扑朔迷离。碳化硅器件到底好在哪?目前主要应用领域?成本与硅相比差多少?发展前景如何?最近，碳化硅主要供应商罗姆半导体公司举办座谈会，罗姆半导体(北京)有限公司技术中心所长水原德建先生就这些问题进行了详细介绍。
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安森美半导体推出由Strata Developer Studio™支持的电源方案板
安森美半导体在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio™ 开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案，使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围，且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。
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一文读懂碳化硅半导体材料的发展历程
之前许久的时间里，我们基本都集中于以硅半导体材料为主的分立器件和集成电路的研究中，广泛的应用以于消费电子、工业控制、通信、汽车电子、航天航空等各个领域，带来的发展时巨大的。
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CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系，共同研发解决方案推动碳化硅功率器件广泛应用
带有耐高温驱动器的碳化硅功率模块将助力新能源汽车领域加快发展
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CISSOID和清华大学电机系达成技术合作意向，共同研发基于碳化硅功率模块的系统
CISSOID日前宣布：公司已与清华大学电机工程与应用电子技术系(简称电机系)达成技术合作意向，双方将携手研发基于碳化硅(SiC)功率模块的系统，期望共同攻克技术难题以求实现其潜在的高效率和高功率密度等优势，并将大力支持在新能源汽车领域开展广泛应用。
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加强RF/功率半导体布局 Cree 3.1亿美元出售照明业务
为了更专注于加强RF业务及碳化硅(Silicon Carbide)和氮化镓(GaN)技术，Cree将其照明业务出售给IDEAL INDUSTRIES。并借此行为将更多资源投注于扩展其半导体业务，强化该公司在SiC和GaN市场的竞争优势，满足电动汽车、5G等应用需求。
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泰科天润六英寸SiC项目落户江西九江
在江西九江市委、市政府主要领导的高位推动下，3月29日，由泰科天润半导体科技(北京)有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。该项目的落户是经开区大力发展战略新兴产业取得的重大新成果，为九江市打造千亿电子电器产业集群和壮大经开区首位产业注入新动能。
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罗姆半导体正式量产碳化硅MOSFET模组
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意法半导体拟收购碳化硅晶圆制造商Norstel AB的多数股权
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)日前宣布签署一份协议，拟收购瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(以下简称“Norstel”)的多数股权。在此项收购交易完成后，意法半导体将在全球产能受限的情况下掌控部分SiC器件的整个供应链，为把握一个重大的发展机会做好准备。
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富士康要做芯片了，济南2019重点项目透露了这些！
在实体经济项目中有几个重大项目引人注意，包括富士康功率芯片工厂建设项目、天岳高品质4H-SiC单晶衬底材料研发与产业化项目、天岳碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目等。
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基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET
基本半导体紧跟时代步伐，采用国际领先的碳化硅设计生产工艺，推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，助推国内第三代半导体技术发展。
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Cree与意法半导体宣布签署碳化硅晶圆多年供货协议
2019年1月10日，Cree有限公司宣布已签署一份多年供货协议，为横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)生产和供应Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圆。按照该协议的规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。
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Cree与ST签署碳化硅晶圆多年供货协议
Cree有限公司宣布已签署一份多年供货协议，为意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)生产和供应Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圆。
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UnitedSiC发布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列产品
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比，FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。
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作为金牌合作代理商，世强元件电商出席ROHM技术研讨会
2018年9月起，ROHM技术研讨会在全国巡回举行，研讨会围绕\"电源\"与\"SiC(碳化硅) \"等话题开展技术。
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Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。
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碳化硅晶圆全球产能有限，紧缺状态何时能解?
由于碳化硅的生产瓶颈尚未解决，原料晶柱的质量不稳定，造成整体市场无法大规模普及。
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碳化硅无法转换成市场规模 主因是碳化硅晶圆制造和产能不顺畅
相较于硅(Si)，采用碳化硅(SiC)基材的组件性能优势十分的显著，尤其是在高压与高频的性能上，然而，这些优势却始终未能转换成市场规模，主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。
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突破！国内首条碳化硅智能功率模块生产线在厦门投产
近日，国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线在厦门芯光润泽科技有限公司正式投产，标志着我国在碳化硅芯片这个战略新兴行业又实现了一次重要的突破。
