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节点定时开关电路图
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28nm节点将引发全球代工攻坚战
按Gartner副总裁Dean Freeman看法，能进行先进制程设计的fabless公司目前正处于极好时光。因为Freeman看到顶级代工厂正义无反顾的向40及28nm进军，同时为争夺更大的市场份额，而使硅片代工的价格迅速下降。 按Fre
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28nm节点将引发全球代工攻坚战
按Gartner副总裁Dean Freeman看法，能进行先进制程设计的fabless公司目前正处于极好时光。因为Freeman看到顶级代工厂正义无反顾的向40及28nm进军，同时为争夺更大的市场份额，而使硅片代工的价格迅速下降。按Freeman
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Global Foundries宣布2015年将在15nm制程节点正式启用EUV光刻技术
在最近召开的SemiCon West产业会议上， Global Foundries 公司宣布他们将在15nm制程节点开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。 Global Foundries 公司负责制程技术研发的高级副总裁Greg Bartlett还表示，公司将
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Calix夸耀加勒比地区业绩发展
7/13/2010，光接入设备厂商Calix宣布他们的通用接入产品获得加勒比地区多家主要运营商的部署。这些运营商包括拥有200万用户的英国大东集团下的LIME公司等20家该地区主要运营商。仅在去年就有10家新加勒比运营商成为C
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宏力半导体发布其0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业，发布其低本高效的0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺。 与0.18微米技术节点相比，0.13微米可以将芯片尺寸最多缩小50%并使其提
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宏力发布0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日发布其低本高效的0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺。 与0.18微米技术节点相比，0.13微米可以将芯片尺寸最多缩小50%并使其提供更快的速度。宏力半导体的0.13微米铝制
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宏力半导体发布0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)近日发布其低本高效的0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺。与0.18微米技术节点相比，0.13微米可以将芯片尺寸最多缩小50%并使其提供更快的速度。宏力半导体的0.13微米铝制程逻
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今年纯晶圆代工产业营业收入将比去年增长42.3%
由于消费产品需求回升，iSuppli公司把2010年纯晶圆代工厂商的营业收入增长率预测上调了2.8个百分点。iSuppli公司预测，2010年前三个季度晶圆代工厂商将在满足客户需求方面面临压力。这种压力正在推动营业收入增长。继
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iSuppli:今年纯晶圆代工营收年比增长42.3%
——作者：LEN JELINEK由于消费产品需求回升，iSuppli公司把2010年纯晶圆代工厂商的营业收入增长率预测上调了2.8个百分点。iSuppli公司预测，2010年前三个季度晶圆代工厂商将在满足客户需求方面面临压力。这种压力正
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基于VRML的虚拟机房的设计与实现
摘要：文章利用虚拟现实技术建立了一个基于VRML的虚拟机房，介绍了虚拟机房的开发过程，对场景的几何建模、纹理映射、交互行为设计等关键技术进行了阐述。 关键词：虚拟现实建模语言；虚拟现实；三维建模；虚拟机房
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基于ZigBee技术的机动车综合检测系统的研究
提出了一种以ZigBee技术为核心的机动车综合检测系统方案,以CC2430无线通信芯片和LPC2292微控制器为核心设计了数据采集终端节点和网络协调器，并对系统的数据收发过程以及无线网络组网过程进行了详细分析,给出了关键技术实现过程。
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一种新的IEC61131—3语言编译器中间结构的设计方案
摘要：介绍了一种适合IEC6113l一3工业语言编译器中间结构的全新型设计思想；并以ST语言为例，将一段ST语言代码翻译成为中间结构设计方法，同时论证了该中间结构的可行性。 关键词：IEC语言；编译器；中间结构O 引言
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基于Zigbee技术的家用无线网关的设计
摘要：针对现代社会对信息获取便捷度和家庭网络化的要求，设计了一种可以组织家用电器成小型网络的家用网关。该网关采用Zigbee技术和嵌入式系统相结合的设计方案，采用了自行设计的Zigbee协议栈结构使其适合嵌入式系
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基于Zigbee技术的家用无线网关的设计
基于Zigbee技术的家用无线网关的设计
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FDDI工作原理与应用
FDDI建立在小令牌帧的基础上，当所有站都空闲时，小令牌帧沿环运行。当某一站有数据要发送这时，必须等待有令牌通过时才可能。一旦识别出有用的令牌，该站便将其吸收，随后便可发送一帧或多帧。这时环上没有令牌环上
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台积电：14nm制程节点将用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。 其中来自
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台积电：14nm制程节点将用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。其中来自半导体
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蒋尚义：台积电14nm制程节点将转向使用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露，与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管（以 Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表）的计划。其中来自半导体
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联华电子授予陶氏电子材料杰出供应商奖
陶氏电子材料(Dow Electronic Materials)近日宣布其半导体技术业务获得了联华电子公司(UMC)颁发的2009年杰出供应商奖。陶氏电子材料从100多名供应商中脱颖而出，获得了UMC化学机械研磨垫耗材类别的杰出供应商最高奖。
