英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)在西班牙巴塞罗那2019年世界移动通信大会上展示第四代REAL3™图像传感器IRS2771C。该3D飞行时间(ToF)单芯片器件旨在满足移动消费终端市场的需求,特别是满足利用小镜头支持更高分辨率的需求。
2019年的半导体市场可能趋冷,这是很多机构给出的预测。但是英飞凌对自己未来的业绩依旧充满信心。
英飞凌科技大中华区总裁苏华博士和英飞凌科技股份公司企业传播及政府事务全球副总裁 Klaus Walther等人对于2018年的营收和2019年的战略进行了分享。苏华表示,2019年英飞凌将发挥差异化竞争优势,坚持与中国共赢的策略,实现高于市场平均水平的高增长速度。
虽然目前市面上的应用主要以硅基器件为主,但在一些高功率、高电压应用中,硅基器件有些捉襟见肘,而氮化镓和碳化硅却能很好地满足这些应用场景。这主要是因为,他们属于宽禁带半导体材料,与硅等传统的半导体材料相比,具有更宽的带隙。其中硅的带隙是1.1电子伏特,氮化镓是3.4电子伏特。
英飞凌科技大中华区(以下简称“英飞凌”)荣膺“2018年大中华区最佳职场”殊荣。这是继2016年之后,英飞凌再获此项荣誉,也是唯一一家两度获得这一殊荣的半导体企业,彰显了业界对于英飞凌人才发展理念及实践的高度认可,同时也体现了员工对公司的信任与支持。
未来十年,基于氮化镓的器件市场总值有望超过10亿美元,从市场的分布来说,电源类产品大概占到整个市场的40%左右。在汽车类的应用可能起步得比较晚,但是它的成长非常快,未来汽车关于氮化镓的应用是一个非常大的应用。
英飞凌科技股份公司携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。
英飞凌(Infineon)宣布,其已收购一家名为 Siltectra 的初创企业,将一项创新技术(Cold Spilt)也收入了囊中。“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺,能够将材料损失降到最低。英飞凌将把这项技术用于 SiC 晶圆的切割上,从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番。据悉,本次收购征得了大股东 MIG Fonds 风投的同意,报价为 1.24 亿欧元(1.39 亿美元 / 9.7 亿 RMB)。
英飞凌将把这项技术用于碳化硅(SiC) 晶圆的切割上,从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番。据悉,本次收购征得了大股东 MIG Fonds 风投的同意,报价为 1.24 亿欧元(约合1.39 亿美元 / 9.7 亿 RMB)。
英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)今日公布了2018财年第四季度的业绩(截至2018年9月30日)。