全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司今天宣布,位于中国深圳的、无晶圆厂集成电路设计领先企业芯邦科技股份有限公司已采用Cadence Incisive Xtreme III系统来加速其RTL设计流程,并为下一代数字消费和网络芯
台积电(2330)65奈米接获全球感测影像组件大厂豪威(OmniVision)最新OmniBSI-2技术代工订单,这是豪威第一次使用65奈米生产新产品,有助台积电本季12吋产能利用率持续拉高满载,达成淡季不淡的目标。 台积电预估
CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
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CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
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2009年,全球经济危机所带来的负面影响波及世界各个角落。中国的半导体市场规模下降至682亿美元,较去年下滑6.8%。相对于过去几年保持强劲增长的中国半导体市场来说,这是很大的降幅。然而正是在这样严峻的挑战面前,
2009年,全球经济危机所带来的负面影响波及世界各个角落。中国的半导体市场规模下降至682亿美元,较去年下滑6.8%。相对于过去几年保持强劲增长的中国半导体市场来说,这是很大的降幅。然而正是在这样严峻的挑战面前,
R32C/100系列CISC MCU(瑞萨)
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容。在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少栅电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能。
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容。在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少栅电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能。
R&S公司将展出其全系列的EMI测试接收机:R&S?ESU、ESCI、ESPI和ESL,覆盖了20Hz-40GHz 的频率范围, 全部支持最新的CISPR-AV, CISPR-RMS检波方式,从全兼容的军标民标测试到简单的诊断测试,可符合各种不同层次
高温半导体方案供应商CISSOID与高温电子元件及IC元件的专业分销商德章系统有限公司联合宣布,两家公司已签署独家分销协议,该协议由二零零九年八月一日起生效,适用于大中华地区(即中国、台湾地区及香港地区)。 德章
近日韩国通信委员会(KCC)召开“CEO信息保护战略会议”,出台了“提高企业信息安全水平”方案,旨在提高民营企业的信息安全意识。会上,该委员会规定年销售额超过8000亿韩元的大企业最快将从明年