CMOS
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驱动容性负载的动态功耗
逻辑电路每一次跳变，都要消耗超过它正常静态功耗之外的额外的额外功率。当以一个恒定速率循环时，动态功耗等于功耗=周期频率*每个周期额外的功率动态功耗最常见的两个起因是负载电容和叠加的偏置电流。图2.2说明了驱
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Imec与台积电合作40奈米制程技术
欧洲半导体研究所Imec与台积电共同宣布，将Europractice IC拓展至台积电40奈米的制程技术。透过这项这项合作，将可透过提供台积电晶圆共乘(Cybershuttle)多重计划晶圆给欧洲的公司与学术机构。 这项合作包括台积
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高线性度设计的CMOS调幅电路技术
引言 本文采用±5V电源，设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路，并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好的使用
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CMOS双向开关工作原理
CMOS双向开关也称CMOS传输门。CMOS双向开关在模拟电路和数字电路应用非常广泛。集成电路CMOS双向开关产品有CC4066/4051/4052/4053等，性能优良，使用方便且成本低。每个开关只有一个控制端和两互为输入/输出信号端，
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高线性度设计的CMOS调幅电路技术
引言 本文采用±5V电源，设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路，并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好的使用
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CMOS PA陷入成本和性能两难，“单芯片手机”梦受阻
在基带、电源管理和射频收发等关键器件相继被CMOS工艺集成后，采用砷化镓工艺的功率放大器（PA），成为CMOS工艺通向真正的“单芯片手机”的最后堡垒。多家初创公司一直致力用CMOSPA替代砷化镓PA，其中AXIOM已经在2G手
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音频功率放大器的CMOS电路设计
完成了一种桥式连接音频功率放大器的仿真和设计。该音频功率放大器的主体为桥式连接的两个运算放大器，使用尽可能小的外部组件提供高质量的输出功率，不需要输出耦合电容、自举电容和缓冲网络。应用Cadence的Spectre模拟仿真工具进行电路仿真，得到其电路指标如频响特性、电源电压抑制比、总谐波失真等均达到要求。该音频功率放大器具有良好的市场应用前景。
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IMEC与台积电进行后CMOS合作
IMEC总裁Luc van den Hove表示为了开发新型的混合工艺技术(沿着后摩尔定律), 它的研究所决定与台积电进行合作。尽管IMEC己经与诸多先进芯片制造厂在CMOS材料与工艺方面进行合作, 但是仍需要有大量的创新应用來推动CM
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
0 引言现代便携式数码设备离不开显示器，而作为显示器背光源的白光LED(发光二极管)在很多方面(比如使用寿命，能耗)都有着优于传统CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷阴极荧光灯)数倍甚至数十倍的性能，所以，由
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
本文基于对称OTA结构，设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA，即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声，而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz～10 MHz频率范围内，其增益高达60 dB，PSRR为65 dB，而CMRR则高达70 dB，系统达到了较高的性能。
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
0 引言现代便携式数码设备离不开显示器，而作为显示器背光源的白光LED(发光二极管)在很多方面(比如使用寿命，能耗)都有着优于传统CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷阴极荧光灯)数倍甚至数十倍的性能，所以，由
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
0 引言现代便携式数码设备离不开显示器，而作为显示器背光源的白光LED(发光二极管)在很多方面(比如使用寿命，能耗)都有着优于传统CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷阴极荧光灯)数倍甚至数十倍的性能，所以，由
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
本文基于对称OTA结构，设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA，即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声，而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz～10 MHz频率范围内，其增益高达60 dB，PSRR为65 dB，而CMRR则高达70 dB，系统达到了较高的性能。
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
本文基于对称OTA结构，设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA，即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声，而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz～10 MHz频率范围内，其增益高达60 dB，PSRR为65 dB，而CMRR则高达70 dB，系统达到了较高的性能。
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IMEC让前TSMC欧洲总裁来加强IC业务
欧洲半导体研究所IMEC已任命前TSMC欧洲总裁Kees den Otter为其副总裁, 掌管其IC市场发展。可能原因是出自研究所要更多的为工业化服务, 并创造应有的价值。显然近年来其pilot生产线中EUV光刻研发的 费用高耸,也难以为
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全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成为业界首家采用晶圆和封装形式 CMOS 振荡器提供石英晶体级性能的公司。这些集成电路满足小型化要求
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IDT推出首款封装和裸片/晶圆形式高精度全硅CMOS振荡器
致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成为业界首家采用晶圆和封装形式 CMOS
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低功耗高转换速率CMOS模拟缓冲器
提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端，同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。
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基于LTC2259-16的16位模-数转换方案
LTC2259-16是 16位模-数转换器,适用于对高频宽动态范围的信号进行数字化.它的SNR为73.1dB,SFDR为88dB,单电源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS输出,可选择的输入范围从1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂
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基于3GHz CMOS低噪声放大器优化设计
摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能
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桃花运
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森与海巷
