CMOS

意法半导体等利用65nm晶圆分析TSV对CMOS电路的影响

法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学（Universite de Savoie）及意法半导体（STMicroelectronics）共同分析了在带有65nm工艺CMOS电路的硅晶圆上形成TSV（硅贯通孔）时，TSV对CMOS电路特性的影响（演讲编号：35.1）。以利

CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

三星主题演讲:通过导入新技术，硅CMOS可延长至10nm以下工艺

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 半导体制造技术国际会议“2

基于VerilogHDL的CMOS图像敏感器驱动电路设计

Verilog HDL语言是IEEE标准的用于逻辑设计的硬件描述语言，具有广泛的逻辑综合工具支持，简洁易于理解。本文就STAR250这款CMOS图像敏感器，给出使用Verilog HDL语言设计的逻辑驱动电路和仿真结果。

15nm工艺CMOS将如何发展？短讲座出现站着的听众

在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”开幕前一天的2010年12月5日（日），举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻辑LSI方面，美国

第三季晶圆价位持续下跌但幅度已较和缓

根据Global Semiconductor Alliance (GSA)发布的报告，今(2010)年第三季晶圆价位持续下 跌，不过下降的幅度已比前一季和缓。该季八寸与十二寸CMOS晶圆比前一季分别降价0.3%与4 .4%；后者在第二季为3200美元，至第

CMOS自动转换可逆计数器

采用CMOS门电路的防抖动电路

采用CMOS或非门电路的防抖动电路

CMOS延迟电路（一）电路图

CMOS延迟电路（二）电路图

基于Zigbee的CMOS无线射频芯片的设计考虑

本文将以笙科电子的2.4GHz IEEE 802.15.4射频收发器(适用于Zigbee标准，RF4CE则是基于Zigbee的遥控器应用规范)为例，介绍超低功率CMOS无线射频芯片的设计概要，从电路设计到系统观点，说明芯片设计和应用过程中需要考

基于Zigbee的CMOS无线射频芯片的设计考虑

本文将以笙科电子的2.4GHz IEEE 802.15.4射频收发器(适用于Zigbee标准，RF4CE则是基于Zigbee的遥控器应用规范)为例，介绍超低功率CMOS无线射频芯片的设计概要，从电路设计到系统观点，说明芯片设计和应用过程中需要考

采用CMOS sensor MT9M114行车纪录器方案（大联大）

行车纪录器于欧美国家甚至日本皆已被广泛应用，大联大旗下富威集团结合旗下代理产线Aptina因应趋势推出采用CMOS sensor MT9M114行车纪录器方案，破除以往市面机械式行车纪录器进步至数字式规格并扩展车辆各项机件运作

Aptina:CMOS图像传感领域的一支新秀

引子：11月初的北京安防会，吸引了众多相关厂商的参加，参展规模甚至超过了有多年历史的CCBN和国际通信展。在今年的安防展期间，我们不仅看到了许多专注与视频处理算法的方案提供商，如恩智浦，德州仪器，LG；也看

频率弹性可在线编程的CMOS时钟发生器（Silicon Labs）

Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)今日发表业界最具频率弹性可在线编程的CMOS时钟发生器。新推出的8路时钟发生器Si5350/51内置压控石英晶体振荡器(VCXO)，能以单一时钟IC取代传统的多器件锁相环(PLL)解决方

全硅CMOS振荡器取得革命性进展 或取代石英振荡器

今年年初，IDT耗资7亿美元完成收购全硅振荡器供货商Mobius Microsystem，取得该公司模拟和混合信号频率核心技术。IDT期望以两家公司的结合来扩展其在计时产品领域的领导地位。现如今，IDT带来革命性的计时产品&mdash

世界10月营收衰退28%；汉磊Q4淡季不淡

世界先进(5347)今(9)日公布自结10月份营收11.09亿元，较上月衰退28%，与去年同期相比则下滑4.07%。累积今年前10个月营收137.4亿元，较去年同期成长29.37%。世界副总经理谢徽荣表示，由于客户进行库存调整、需求减少

和舰科技

和舰科技于2001年11月成立，并于2003年5月投产。和舰科技于苏州工业园区拥有1座8吋晶圆厂，最大月产能达6万片8吋晶圆，为2009年大陆第3大晶圆代工厂。 和舰主要提供从0.5~0.18微米的CMOS制程，提供逻辑、非挥发性

全球精度最高的全硅 CMOS 振荡器（IDT）

IDT® 公司（Integrated Device Technology,）宣布，推出业界精度最高的全硅 CMOS 振荡器，在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的 100ppm 总频率误差。 IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术