CMOS
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一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计
采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0.5μm CMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1.6 MHz的范围内。通过Cadence spectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该方案能够在1～1.6 MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC／DC转换器的噪声性能。
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台积电MEMS苦练7年 2010年进入收成期
台积电在MEMS领域历经7年苦练后，与客户关系由接受指导，转变成共同合作开发，台积电主流技术事业发展处处长刘信生自信表示，台积电MEMS将迎头赶上国际IDM厂商脚步，相信2010年台积电MEMS将进入收成期。刘信生在出席
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ADI發表18款全新低功率ADC
美商亞德諾公司（Analog Devices）14日正式發表18款極具電源效率，解析度範圍從10到16位元的類比數位轉換器（ADC）。ADI的全新ADC乃是以對於電力需求極為敏感的通訊、工業、可攜式電子裝置、以及儀器設備等為對象所設
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东芝NEC与IBM合作 共同开发28纳米CMOS芯片
东芝NEC与IBM合作 共同开发28纳米CMOS芯片
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世界首个商用硅基CMOS光子半导体制造工艺投产
世界领先的硅基CMOS光子集成厂商Luxtera今天宣布,经过与飞思卡尔半导体公司多年的密切合作，利用后者的制造资源，实现了世界首个商用级硅基CMOS光子半导体制造工艺的投产。 CMOS光子 Luxtera 硅基CMOS 光子集成
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超低中频CMOS下混频器的设计
摘 要：低中频架构由于其镜像抑制能力强，易于集成等优点而被广泛应用于接收机的设计中。混频器作为接收机的重要模块之一，它的主要作用是完成频率转换，其性能对接收机有很大的影响。设计了一个工作于GSM 850频带的
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亚利桑那州大学与德州大学成功开发CMOS柔性晶体管
近日，亚利桑那州大学柔性显示器中心(Flexible Display Center)与德州大学达拉斯分校联合宣布已成功在柔性塑胶基板(Flexible Plastic Substrate) 制作CMOS电路系统.这项成功的开发将促进柔性电子应用。新的塑料CMOS
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ST与Soitec合作开发下一代CMOS影像传感器技术
近日，意法半导体（ST）与世界领先的工程基板供应商Soitec，宣布两家公司签订一项排他性合作协议。根据此协议，两家公司将合作开发300毫米晶圆级背光（BSI）技术，制造用于消费电子产品中的下一代影像传感器。 当今的
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意法半导体和Soitec联手开发新一代CMOS图像感测器技术
全球领先的半导体公司和全球CMOS影像技术领导商意法半导体 (STMicroelectronics)(STM) 和世界领先的工程基板供应商Soitec今天公布了两家公司之间一项独家合作，以便於为消费电子产品的新一代图像感测器开发 300mm 晶
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ST与Soitec合作开发CMOS影像传感器技术
意法半导体（ST）与工程基板供应商Soitec，宣布两家公司签订一项排他性合作协议。根据此协议，两家公司将合作开发300毫米晶圆级背光（BSI）技术，制造用于消费电子产品中的下一代影像传感器。当今的前沿影像传感器技
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思源科技与联华电子提供65奈米PDK支持客制芯片设计
近日，思源科技与联华电子共同宣布，将提供已通过晶圆专工验证的LakerTM制程设计套件（PDK）予联华电子65奈米制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。双
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思源科技与联华电子合作推出65nm制程设计套件
电子设计自动化领导厂商思源科技与联华电子共同宣布，即日起将提供已通过晶圆专工验证的Laker制程设计套件（PDK）予联华电子65奈米制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖
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3．7 GHz宽带CMOS LC VCO的设计
设计了一款3．7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化，并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0．18 μm CMOS混合信号制造工艺，芯片面积为0．4 mm×1 mm。测试结果显示，芯片的工作频率为3．4~4 GHz，根据输出频谱得到的相位噪声为一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作电压下的功耗为10 mW。测试结果表明，该VCO有较大的工作频率范围和较低的相位噪声性能，可以用于锁相环和频率合成器。
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3．7 GHz宽带CMOS LC VCO的设计
3．7 GHz宽带CMOS LC VCO的设计
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IMEC扩建研究基地 新增实验室面积2800平方米
比利时纳电子研究中心IMEC日前宣布扩建位于鲁汶的研究基地，实验室面积将新增2800平方米，其中包括高端净化间。扩建后，IMEC将加强32nm以下节点CMOS技术、低成本高效率太阳能电池和生物电子等技术的研究。IMEC同时还
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低功耗CMOS电压基准源的设计
l 引 言 电压基准可以在温度及电源电压变化环境中提供稳定的参考电压，被广泛应用于比较器，A／D，D／A转换器，信号处理器等集成电路中。目前已有不少Bipolar工艺和CMOS工艺的电压基准应用于实际中，并且获得了
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高速CMOS LDO电压调整器（特瑞仕）
特瑞仕半导体在日本东京开发了输出电流高达1A、带自动节能功能的高速CMOS LDO电压调整器--XC6220系列产品。XC6220系列是采用高精度、低噪声、低压差的CMOS工艺、输出为1A的大电流式LDO电压调整器。内置低导通电阻的
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基于USB2.O的CMOS图像采集系统的设计
O 引言 CMOS图像传感器与CCD图像传感器相比，具有功耗低、集成度高，便于采用高速的并行读取体系等优点，因而在图像传感、天文观测、星敏感器等领域得到广泛应用。目前图像采集主要基于PCI总线或其他传统接串并
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