CMOS

GLOBALFOUNDRIES参加IMEC研发项目，将开发22nm CMOS及GaN on Si技术

比利时IMEC宣布，美国GLOBALFOUNDRIES公司将参加该研究所的研发项目。发布资料显示，GLOBALFOUNDRIES已在有关（1）22nm节点制程CMOS技术、（2）硅（Si）上氮化镓（GaN）技术（GaN on Si技术）的战略性长期合作协议上

Globalfoundries与IMEC签署亚22nm节点制程CMOS合作计划

拥有阿拉伯财阀背景的Globalfoundries公司最近与欧洲半导体研究机构，比利时的IMEC签署了一项关于在亚22nm节点制程CMOS技术和硅上氮化镓（GaN-on-Si：可用于制造固态照明器件，功率器件和射频电路器件等）技术结成长

GlobalFoundries和imec共同研发22nm节点以下CMOS技术

全球领先的半导体代工厂商之一GlobalFoundries与纳电子研发中心imec签署了一项长期的战略合作协议，共同研发22nm节点以下CMOS技术以及GaN-on-Si技术。

一种基于PWM的CMOS误差放大器的设计

摘要：为解决PWM控制器中输出电压与基准电压的误差放大问题，设计了一款高增益、宽带宽、静态电流小的新型误差放大器，通过在二级放大器中间增加一级缓冲电路，克服补偿电容的前馈效应，同时消除补偿电容引入的零点。

0．6 V CMOS轨至轨运算放大器

摘要：为适应低压低功耗设计的应用，设计了一种超低电源电压的轨至轨CMOS运算放大器。采用N沟道差分对和共模电平偏移的P沟道差分对来实现轨至轨信号输入。当输入信号的共模电平处于中间时，P沟道差分对的输入共模电平

Aptina 1.1微米背照式制程

胡皓婷 全球CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor；CIS)大厂Aptina积极布局相关市场，预期至2012年起，1,200万画素CIS将成为下一代趋势。为符合终端需求，Aptina在1.4微米产品外，再推出1.1微米背照式(Backside Illumin

电荷泵型LED驱动器的CMOS误差放大器设计

结合电荷泵型LED驱动器的工作要求，从减小输出电压纹波、稳定输出电压出发，设计了一款误差放大器。该误差放大器具有较大的工作电压范围，使电荷泵型LED驱动器高效率低噪声工作。基于CHRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY进行仿真，结果表明，在2．7～5 V工作电压范围内，开环电压增益约等于72 dB，相位裕度约等于65°，单位增益带宽约等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR约等于113 dB，电源抑制比PSRR约等于100 dB。

恩智浦推出10Gbps CMOS多路复用器/多路解复用器开关

21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出业内速度最快的多路复用器/多路解复用器开关CBTL02043。CBTL02043可以支持速度高达10Gbps 信号号切换，同时具有低功耗及低能量损失的特性，特别适用于台式电

2010年CMOS摄像模组用镜头主要厂家市场占有率

水清木华研究中心最新研究报告指出，2010年CMOS摄像模组产值相较2009年大幅度增加，驱动力来自三方面。一是手机摄像像素值大幅度增加，200万像素成为主流；预计2011年，300万像素将成为主流；预计2013年，500万像素将

带CMOS逻辑的AGC电路

CMOS振荡编码器

CMOS PLL译码电路

CMOS PLL编码器

全CMOS接收机

用光电隔离器构成的CMOS接口电路

TTL至CMOS的电平变换器

TTL-CMOS接口电路

PMOS-CMOS接口电路

NMOS-CMOS接口电路

HTL-CMOS接口电路