不让欧、美微机电系统(MEMS)业者专美于前,国内台积电、联电两大半导体龙头,以及其他MEMS厂商正戮力开发补式金属氧化物半导体 (CMOS)MEMS,期能透过晶片商上、中、下游的合作,与国外整合元件制造商(IDM)并驾齐
鑫创(3259)看好微机电(MEMS)麦克风市场,历经3年研发,今年10月推出CMOS MEMS麦克风,目前已进入推广期,市场传出,鑫创MEMS麦克风预计明年元月将送样客户认证,预计7月量产。 鑫创日前表示,MEMS麦克风相较传统
型号:MMC214 MMC3140 公司:美新半导体(无锡)有限公司 英文名称:MEMSIC Semiconductor (WUXI) Co., Ltd. 芯片概述 新型MEMS磁传感器广泛用于移动消费类电子产品(如手机)与汽车电子、工业应
1、主要技术参数电磁兼容性的设计是一项复杂的系统工程。首先要学习并掌握有关标准及规范,然后参照实际电磁环境来提出具体的要求,进而制定技术和工艺的实施方案。在设计电子仪器、设备时。应重点考虑电路设计、隔离
摘要 分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用0.18μmCMOS工艺,设计出高效率的差分E类
“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺,硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议
在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”开幕前一天的2010年12月5日,举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻
法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学(Universite de Savoie)及意法半导体(STMicroelectronics)共同分析了在带有65nm工艺CMOS电路的硅晶圆上形成TSV(硅贯通孔)时,TSV对CMOS电路特性的影响(演讲编号:35.1)。以利
CMOS伪差分E类射频功率放大器设计
“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺,硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 半导体制造技术国际会议“2
Verilog HDL语言是IEEE标准的用于逻辑设计的硬件描述语言,具有广泛的逻辑综合工具支持,简洁易于理解。本文就STAR250这款CMOS图像敏感器,给出使用Verilog HDL语言设计的逻辑驱动电路和仿真结果。
在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”开幕前一天的2010年12月5日(日),举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻辑LSI方面,美国
根据Global Semiconductor Alliance (GSA)发布的报告,今(2010)年第三季晶圆价位持续下 跌,不过下降的幅度已比前一季和缓。该季八寸与十二寸CMOS晶圆比前一季分别降价0.3%与4 .4%;后者在第二季为3200美元,至第
本文将以笙科电子的2.4GHz IEEE 802.15.4射频收发器(适用于Zigbee标准,RF4CE则是基于Zigbee的遥控器应用规范)为例,介绍超低功率CMOS无线射频芯片的设计概要,从电路设计到系统观点,说明芯片设计和应用过程中需要考
本文将以笙科电子的2.4GHz IEEE 802.15.4射频收发器(适用于Zigbee标准,RF4CE则是基于Zigbee的遥控器应用规范)为例,介绍超低功率CMOS无线射频芯片的设计概要,从电路设计到系统观点,说明芯片设计和应用过程中需要考