Aptina 1.1微米背照式制程

胡皓婷 全球CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor；CIS)大厂Aptina积极布局相关市场，预期至2012年起，1,200万画素CIS将成为下一代趋势。为符合终端需求，Aptina在1.4微米产品外，再推出1.1微米背照式(Backside Illumination；BSI)制程CIS。
随著手机所搭载的像素提升，微米背照式制程也不断精进。2009年多以1.75微米居多，至2010年时已可见到1.4微米浮出台面，预计2011年1.4微米以及1.1微米将成为市场主流，下一世代0.9微米已蓄势待发。为提升影像品质，Aptina将推出1.4微米以及1.1微米的背照式CIS，此背照式产品采用公司原应用于前照式(FSI)的A-Pix技术，以增强背照式产品聚光性能和串扰控制。
而自2010年第4季以来，因晶圆端8吋产能吃紧，导致CIS出现供应吃紧现象，因公司在大股东晶圆厂生产，完全无此疑虑，供货十分顺畅。(胡皓婷)