2013年9月18日讯 – 微电子产业全球领导标准制定机构JEDEC固态技术协会今天发布通用闪存(UFS)标准2.0版。该标准专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以
21ic讯 微电子产业全球领导标准制定机构JEDEC固态技术协会日前发布通用闪存(UFS)标准2.0版。该标准专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延
美国交通部在2011年12月提出新的安全法规,旨在帮助消除车辆后方的盲区,这些盲区导致驾驶员很难看到车后的行人 - 特别是幼童,此法规使得基于视频的汽车安全系统这一新兴领域成为公众瞩目的焦点。此次提出的倒车后
摘要:JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用,并给出其在系统
便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等,由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击,如果没有选择合适的保护器件,可能会造成机器性能不稳定,或者损坏。更
我们在实际电子产品设计调试过程中,经常会有这样的疑问,MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入
集成块静电放电(ESD)损伤防静电保护电路
美国能源部(unitedstatesdepartmentofenergy,doe)宣布其固态路灯联盟(msslc)将于今年9月11日在菲尼克斯(phoenix)举行年度会议。本次会议将对联盟成员开放,包括政府和公用事业工作人员,路灯工程,照明设计师和顾问
美国能源部(unitedstatesdepartmentofenergy,doe)宣布其固态路灯联盟(msslc)将于今年9月11日在菲尼克斯(phoenix)举行年度会议。本次会议将对联盟成员开放,包括政府和公用事业工作人员,路灯工程,照明设计师和顾问
21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出全球最小的瞬态电压抑制二极管,为消费电子产品和手持产品内的敏感电子元器件提供过压保护功能。 ESDAVLC6-1BV2是同类
21ic讯 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出全球最小的瞬态电压抑制二极管,为消费电子产品和手持产品内的敏感电子元器件提供过压保护功能。ESDAVLC6-1BV2是同类产品中首款采用业界最小的标准贴装封装,尺寸
摘要:介绍了西气东输二线的基本情况及其流程工艺,介绍了PLC、站控机、路由器、交换机等自控设备在该项目中的应用,并分析了以太网、ControlNet网的网络组成,讨论了控制系统的组成及实现的功能。 关键词:西气东输
SESD低电容器件说明保护超高速数据线,占用最少PCB空间TE Connectivity旗下的业务部门TE电路保护部(TECP)宣布其SESD (硅ESD)系列无源电路保护器件中的八款产品现在通过用于
备受瞩目的首届IPC手工焊接世界冠军赛于2月21日在圣地亚哥IPC APEX 展会® 上圆满结束。9位参赛选手分别是 IPC印度、中国和美国手工焊接竞赛的年度冠、亚、季军,参赛者需要在一个小时内完成一件功能性电子组件。
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全球示波器市场的领导厂商---泰克公司日前宣布,继续扩大其成功的“黄金保障服务计划”(Gold Care Service Plans)的覆盖范围。经过此次扩大后,现有客户可为更广泛的已安装产品申请黄金保障服务,同时泰克广受欢迎的
泰克公司日前宣布,继续扩大其成功的“黄金保障服务计划”(Gold Care Service Plans)的覆盖范围。经过此次扩大后,现有客户可为更广泛的已安装产品申请黄金保障服务,同时泰克广受欢迎的探头与BERTScope误
意法半导体(STMicroelectronics)正与Globalfoundries公司洽谈转移完全耗尽型绝缘上覆矽(FDSOI)制程技术的相关细节,期望于2013年第四季在Globalfoundries于德国德勒斯登(Dresden)的Fab1代工厂实现量产。ST宣称,在相
意法半导体(STMicroelectronics)正与Globalfoundries公司洽谈转移完全耗尽型绝缘上覆矽(FDSOI)制程技术的相关细节,期望于2013年第四季在Globalfoundries于德国德勒斯登(Dresden)的Fab1代工厂实现量产。ST宣称,在相
意法半导体(STMicroelectronics)正与Globalfoundries公司洽谈转移完全耗尽型绝缘上覆矽( FDSOI ) 制程技术的相关细节,期望于2013年第四季在Globalfoundries于德国德勒斯登(Dresden)的Fab 1 代工厂实现量产。 ST宣称