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22nm之后:下一代电晶体竞赛开跑

在22nm，或许是16nm节点，我们将需要全新的电晶体。而在这其中，争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术。这场比赛将关乎到电晶体的重新定义。在22/20nm逻辑制程的开发中，业界都争先恐后地推出各种新的电晶体技术。英特

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2011-07-25

电晶体 DSO FINFET 英特尔
22nm乱世之最后悬念:多角度看Finfet等四种技术优劣对比

在向22/20nm节点制程攀登的过程中，半导体技术研发者们似乎纷纷准备在这一节点推出新形态的晶体管结构技术。这方面做得比较出彩的有Intel，他们不久前正式公布将在22nm制程节点启用三栅晶体管技术，并因此而博得了许

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2011-07-21

晶体管节点 DSO FINFET
台积电先推TSV 3D芯片可击败英特尔FinFET？

根据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)日前所发布的一份报告，芯片代工巨擘台积电(TSMC)公司可望在2011年底前推出首款具3D互连的半导体产品，因而可能和已经宣布即将推出首款3D芯片的英特尔形成潜在的竞争关系。 TAIT

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2011-07-08

台积电 3D芯片 FINFET 英特尔
台积电称Finfet尚未成熟芯片设计制造需改动

自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内（至少到下一个节点制程时）仍将采用传统

消费电子
2011-06-10

晶体管芯片设计台积电 FINFET
台积电GlobalFoundries纷纷表态称Finfet尚未成熟

自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内（至少到下一个节点制程时）仍将采用传统

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2011-06-08

晶体管台积电 GLOBALFOUNDRIES FINFET
台积电GlobalFoundries纷纷表态称Finfet尚未成熟

??????? 自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内（至少到下一个节点制程时）仍将

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2011-06-08

晶体管台积电 GLOBALFOUNDRIES FINFET
3D半导体制程不是Intel柯断？

前不久Intel把3D立体概念应用在半导体制程的〝FinFET技术〞并发表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三维晶体管〞技术，简单地说就是把原本二维的平面栅级用一块非常薄的三维矽鳍片来取代，并且在立体的三个面上都放置了一个

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2011-05-31

半导体晶体管 Intel FINFET
3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收

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2011-05-27

晶体管制程技术 FINFET 英特尔
3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请

新闻来源:Digitimes 据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获

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2011-05-27

晶体管制程技术 FINFET 英特尔
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用

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2011-05-26

晶体管制程技术 FINFET 英特尔
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收

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2011-05-26

晶体管制程技术 FINFET 英特尔
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用

电源
2011-05-23

晶体管制程技术 FINFET 英特尔
台积电重点开发28纳米工艺

台湾晶圆代工巨头台积电的一名高管表示，目前台积电对28纳米(nm)工艺的IC设计极为重视，投入是之前40纳米工艺准备期同阶段产品数量的三倍多。“智能手机与平板电脑是新的杀手级应用，”台积电欧洲区总裁Maria Marced

消费电子
2011-05-19

台积电 CE FINFET 英特尔
台积电重点开发28纳米工艺

台湾晶圆代工巨头台积电的一名高管表示，目前台积电对28纳米(nm)工艺的IC设计极为重视，投入是之前40纳米工艺准备期同阶段产品数量的三倍多。“智能手机与平板电脑是新的杀手级应用，”台积电欧洲区总裁Maria Marced

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2011-05-19

台积电 CE FINFET 英特尔
IC设计公司热衷28nm工艺

台湾代工巨头台积电首席执行官表示，芯片设计厂商对28nm工艺产品的热情度极高，比40nm工艺准备期同阶段产品数量多三倍以上。 “智能手机和平板电脑是新的杀手级应用，”台积电欧洲区总裁MariaMarced说，“我们预见到

消费电子
2011-05-18

台积电 IC设计 FINFET 英特尔
IC设计公司热衷28nm工艺

台湾代工巨头台积电首席执行官表示，芯片设计厂商对28nm工艺产品的热情度极高，比40nm工艺准备期同阶段产品数量多三倍以上。 “智能手机和平板电脑是新的杀手级应用，”台积电欧洲区总裁Maria Marced说，“我们预

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2011-05-17

台积电 IC设计 FINFET 英特尔
破译前沿技术，Finfet技术（3D晶体管）详解

本周三Intel举办了一次新闻发布会，会上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程处理器中全面启用三栅晶体管技术（也称3D晶体管技术），他并表示三栅晶体管技术的启用可以极大地减小晶体管的工作电压，其实三栅晶体管

智能硬件
2011-05-11

晶体管 Intel BSP FINFET
Intel 22nm制程三栅结构晶体管技术探秘

继四年前首度启用HKMG工艺制作商用处理器之后，全球最大的半导体厂商Intel又一次站在了业界前列，这一次他们用实际行动宣告与传统的平面型晶体管技术彻底告别。如先前外界所预料的那样，本周三Intel举办了一次新闻发

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2011-05-06

晶体管 Intel 电压 FINFET
Intel 22nm处理器将会采用FinFET工艺

前不久网络上有一些关于22nm Ivy Bridge处理器的一些信息，近日我们收到消息称：Intel将在22nm处理器上采用FinFET工艺技术，以保证处理器的集成度更高、漏电也更小。 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effectt

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2011-04-08

晶体管 Intel 处理器 FINFET
Finfet+平面型架构混合体：传Intel近期将公布22nm节点制程工艺细节

据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构。消息来源还称Intel&ldq

电子设计自动化
2011-03-24

晶体管 Intel 节点 FINFET

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FINFET

22nm之后:下一代电晶体竞赛开跑

22nm乱世之最后悬念:多角度看Finfet等四种技术优劣对比

台积电先推TSV 3D芯片可击败英特尔FinFET？

台积电称Finfet尚未成熟芯片设计制造需改动

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3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请

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