3D半导体制程 不是Intel柯断？

前不久Intel把3D立体概念应用在半导体制程的〝FinFET技术〞并发表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三维晶体管〞技术，简单地说就是把原本二维的平面栅级用一块非常薄的三维矽鳍片来取代，并且在立体的三个面上都放置了一个栅级，用以辅助电流控制进而达到省电的目的，还有因为立体方式让晶体管能够更紧密的排列在一起，也就是可以提升晶体管密度，Intel并宣称22纳米制程的立体晶体管 3-D Tri-Gate可以比32纳米制程的平面晶体管有37%的效能提升，或是相同性能下可以节省一半的功耗。

目前Intel打算把这项技术率先应用在Ivy Bridge处理器之上，并于2012年发布。虽然有多个团队在研究这项技术，不过Intel身为领先世界的半导体厂商维持住了自身领先地位，率先公布进入投产阶段，不仅是秀出了足以为傲的研发能力，同时也给尚未成功商业生产的同业带来不少压力。

不过原以为Intel又要领先业界的时候，经韩国网络媒体报导首尔大学电机工程系教授Lee Jong-ho以及其团队，居然比Intel早10天的时间取得同样是三维晶体管 FinFET制程的专利，这项由Lee Jong-ho教授所研发的技术名为〝bulk FinFET〞，而且Lee Jong-ho声称由Intel公布的资料看来，这两项技术的内容其实是一样的。而Lee Jong-ho教授早在2003年2月4日即在美国提出专利申请，并于2005年4月26日完成专利登录，而Intel则是在2003年2月14日才提出申请，所以如上所说比韩国人晚了10天。

先申请专利者可以获得专利权法保障是国际通例，目前Lee Jong-ho教授的〝bulk FinFET〞技术已经在韩国、美国等地获得专利，而相关权利则归属于专利营销公司PNIB所有。所以如果Intel跟Lee Jong-ho教授的技术经过判定是同样的话，那Lee Jong-ho教授将可以从Intel获取巨额的授权金，甚至也可把相关专利授权给半导体业界的其它厂商，也就是说Intel原本如意算盘打的〝独家制程技术〞将会变成大家都有，而领先同业的幅度也会远不如市场估算。

韩国人果然是非常厉害的民族，近年来在高科技的进展是有目共睹，现在还能跟半导体巨人互争专利，真是厉害！不过希望这则新闻不要像之前〝孔子是韩国人〞、〝端午节是韩国人发明的〞……等等「XXX是韩国人」或是「XX是韩国人发明的」的网络传闻(后来证实是中国制造的假新闻/以讹传讹的误传/网友恶搞)，不然又有乡民来改写十二生肖就不好了...

消息/图片来源：english.etnews.co.kr