台积电重点开发28纳米工艺

台湾晶圆代工巨头台积电的一名高管表示，目前台积电对28纳米(nm)工艺的IC设计极为重视，投入是之前40纳米工艺准备期同阶段产品数量的三倍多。

“智能手机与平板电脑是新的杀手级应用，”台积电欧洲区总裁Maria Marced表示，“我们预见到了28纳米工艺设计爆发的局面，目前我们有89款28nm产品已经或即将流片。”她说，台积电占有全世界90%的28nm产品方案。

Marced还表示，台积电目前已经开始向部分客户出货28nm硅片。“移动互联网在同样性能的前提下，要求更低的功耗。”台积电(台湾新竹)在28nm工艺上正在提供高k金属栅极工艺(HKMG)和传统的多晶硅工艺，而下一代20nm产品预计在2012年下半年就会量产。”

但是，台积电至少要等到14纳米节点才会采用FinFET技术。据说该技术对于移动应用非常有利。这与英特尔相反。英特尔最近宣布把FinFET用于其1270制程(22纳米)。1270制程已开始进行生产，而今年下半年晚些时候，位于亚利桑那的F32工厂将开始量产。英特尔把FinFET称为三栅技术。

这将使英特尔在工艺尺寸方面领先台积电一年左右，而在采用FinFET工艺方面则领先更长时间。据说FinFET在这些更小的节点上，可以提供比平面晶体管更好的功耗性能。

Maria Marced表示，英特尔是一家垂直整合型企业，控制了设计、制造和测试的所有环节，因此能够比台积电更快地采用FinFET技术。“我们需要等待FinFET的生态系统建立，其中包括设计工具、知识产权、设计套件等等。对于我们来说，20nm仍会是平面晶体管。”

Marced认为，智能手机/平板电脑杀手级应用方面的设计数量激增，是台积电2011年增长速度将超过整体代工产业的原因之一。台积电计划2011年实现营收增长20%，但预计整体产业增长15%。同时，台积电认为整体半导体市场将仅增长2%。