Intel 22nm处理器将会采用FinFET工艺

前不久网络上有一些关于22nm Ivy Bridge处理器的一些信息，近日我们收到消息称：Intel将在22nm处理器上采用FinFET工艺技术，以保证处理器的集成度更高、漏电也更小。

FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，闸长已可小于25奈米，未来预期可以进一步缩小至9奈米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。

FinFET和现有晶体管技术对比