GAN

GaN Systems和安森美共同发布半桥评估板

采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半导体的NCP51820高速栅极驱动器，共同组成了一套高速半桥GaN系统评估板。该套件采用25mm x 25mm的布局

LED中的氮化镓技术

现在大街上随处可见的LED显示屏，还有装饰用的LED彩灯以及LED车灯，处处可见LED灯的身影，LED已经融入到生活中的每一个角落。氮化镓技术(GaN)在LED应用中早已不是什么新鲜事儿，最早GaN的开发初衷就是为LED而生，之后的科研人员才开始基于GaN的高频特性，陆续在射频、功率等领域进行探索。

Navitas纳微半导体在亚洲高级电力电子会议上展示在GaN（氮化镓）功率器件领域的领导地位

Navitas 纳微半导体近日宣布将于2019年11月1日至4日在中国深圳举行的中国电源学会(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技术驱动的手机快速充电器。

安森美半导体的NCP51820高速氮化镓(GaN)门极驱动器在中国获2019年度“Top 10电源产品奖”

行业认可首款用于GaN功率开关的高性能、650V高压半桥门极驱动器

高性能GaN器件

随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。2015年3月20日，德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。

安森美的SiC及GaN产品

在日常生活中，电子产品处处可见，大家都知道如何使用，但是都不会去了解电子产品里面有什么，其实里面很重要的是功率器件。更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量(+ 400TWh)的3%，也占总温室气体排放量的2%，与航空业的碳排放量相同。

北大东莞光电研究院有望突破高质量GaN单晶衬底制备难题

据报道，北京大学东莞光电研究院现有在孵企业32家，2018年度在孵企业营业总收入12.78亿元。光电研究院成立于2012年8月，由北京大学与东莞市人民政府共同组建，是广东省首批新型研发机构。研究院拥有

5G冰山之下，潜藏着你未意识到的GaN应用巨大机遇

在EDI CON2019上，21ic专访了MACOM的无线产品中心资深总监成钢 (Echo Cheng)和射频和微波解决方案销售总监孟爱国 (Michael Meng)。两位对于5G产品形态、市场和更多GaN蓝海机遇进行了讲解。

ANADIGICS推出新型GaN线路放大器

我们如何设计一部以无线方式供电的电视机

作者：宜普电源转换公司（EPC）Michael A. de Rooij博士及张远哲博士面向不同种类的家电，eGaN FET技术在推动无线充电市场的发展扮演着重要的角色 这里展示出由无线充电推动

Anker推出全球首款氮化镓充电器：最大输出功率达27W功率

氮化镓(GaN)被业界称为第三代半导体材料，应用范围非常广，包括半导体照明、激光器、射频等，而用在充电器上可在超小体积上实现大功率输出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化镓材料的充电器，型号“P

国产GaN研发取得突破进展，本月底试产，明年正式量产！

陈钰林透露，国产GaN研发取得突破进展，100V、150V、650V三个GaN新品将于2018年12月底试产，2019年正式量产。目前，英诺赛科已有5个产品(40V、60V、100V等)实现小批量生产并有接到订单，这些产品均采用了目前行业领先的8寸Fab产线制造。

SiC和GaN并不是终点，功率半导体氧化镓到底是什么

SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。

尺寸减半、功率翻番！——氮化镓（GaN）技术给机器人、可再生能源和电信等领域带来革新

硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸规格下，硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络，以及未来的机器人、可再生能源直至数据中心技术，功率都是一个至关重要的因素。

TI发布新一代直流降压器和GaN高压产品，将功率密度提升到新高度

更高功率密度是目前电源IC厂商的一致目标，近日TI发布了全新的DC/DC降压器和高压GaN电源产品，将功率密度提升到新的高度。

领先的SiC/GaN功率转换器的驱动

目前，功率转换器市场快速演进，将来也会快速发展，从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。这也意味着，要用更高的工作电压来管理更高的功率，却不能增加重量和尺寸，比如，太阳能串式逆变器和电动汽车牵引电机等应用场合。

一种GaN宽禁带功率放大器的设计

0 引言半导体功率器件按材料划分大体经历了三个阶段。第一代半导体功率器件以Si双极型功率晶体管为主要代表，主要应用在S波段及以下波段中。Si双极型功率晶体管在L波段脉冲

第三代半导体材料盛行，GaN与SiC如何撬动新型功率器件

1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、G

领先的SiC/GaN功率转换器的驱动

目前，功率转换器市场快速演进，将来也会快速发展，从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。

趁着第三代半导体的东风，紫外LED要做弄潮儿

第三代半导体材料主要包括氮化镓（Gallium Nitride， GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化锌（Zinc Oxide， ZnO）、氮化铝（Aluminum Nitride， AlN）和金刚石等