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使用高压 GaN 器件提高电源可靠性

氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提高了转换器效率，与具有相同额定电压的硅 FET 相比，具有更低的栅极电荷、更低的输出电荷和更低的导通电阻。在总线电压大于 380V 的高压 DC/DC 转换器应用中，耗尽型（d 型）GaN HEMT 比增强型（e 型）GaN HEMT 更受欢迎。

使用氮化镓(GaN)提高电源效率

如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。

第三代半导体潮起，我国GaN射频市场迎何机遇？

第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

半导体发展及应用

以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。

半导体发展

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。

释放GaN全部潜力，GaNSense进一步提高GaN功率芯片集成度

随着苹果新一代的140W氮化镓（GaN）快充面世，GaN进一步走进了大众视线。GaN具备超过硅20倍的开关速度，3倍的禁带宽度。天然的优势可以让整体的电源设计功率密度更高，让整体电源方案体积和重量更小。但GaN作为一种新材料器件，要发挥其真正的优势，仍需要很多的新的技术积累来支撑...

GaN管芯射频功率放大器的研究

摘要：给出了一种基于GaN管芯的C波段射频功率放大器的设计方法。该方法采用CREE公司的CGH60120D芯片，并利用ADS软件对管芯模型进行负载牵引，以得到管芯的最佳阻抗值，然后设计管芯的负载匹配电路和直流偏置电路。最后对整个电路系统进行仿真，使其达到预期的功率值。

三款全新MasterGaN系列产品提供新的GaN配置，最高450 mΩ

点击“意法半导体PDSA"，关注我们！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件现在已发货至分销商处，支持工程师创建新的应用。MASTERGAN3的低侧电阻为225mΩ，高侧电阻为450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低侧和高侧电阻均为225m...

GaN FET 成为下一代工业电源的优先选择

传统的电源主力——金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)——只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的情况下才能提高功率密度。

TI 推出全新 GaN 技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

点击上方蓝字关注我们！德州仪器（TI）今宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™实时微控制器（MCU），辅以台达（DeltaElectronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。与使用传统架构的企业服务器电源供应器...

车载 GaN FET 可实现 HEVEV 的高频和稳健性设计

为了解决消费者对电动汽车 (EV) 普及的里程、充电时间和价格等问题，世界各地的汽车制造商都在增加电池容量而不增加尺寸、重量或组件成本。我正在寻找一种加快速度的方法充电。

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TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本北京2021年9月23日/美通社/--德州仪器（TI）（纳斯达克代码TXN）今宣布其氮化镓（GaN）技术和C2000™实时微控制器（MCU），辅以台达（DeltaElectronics）长期耕...

德州仪器推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

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TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本

GaN 打破壁垒——射频功率放大器变得更宽更高级

意法半导体单片 GaN 栅极驱动器加速工业和家庭自动化并提高灵活性和集成度

中国，2021年9月9日——意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

三款全新MasterGaN系列产品提供新的GaN配置，最高450 mΩ

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厚积薄发，ST和Exagan开启GaN发展新篇章

☝ 点击上方 “ 意法半导体PDSA”，关注我们‍‍‍‍‍‍‍‍氮化镓(GaN)是‍‍‍一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有性质让器件具有更...

宏光照明子公司认购VisIC，进入GaN相关产品的开发业务

8月24日，宏光照明发布公告称，公司的全资附属公司FastSemiHoldingLtd.已投资VisICTechnologiesLimited。根据购股协议，FastSemi同意认购VisIC1,749,961股股份，约占VisIC经扩大已发行股本的21.86%，作价约25百万美...