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PFC 图腾柱架构和 GaN 相结合，实现高功率和高效率
开放计算项目 (OCP) 由 Facebook 发起，旨在通过在感兴趣的公司之间公开共享数据中心解决方案和构建模块来减少超大规模数据中心的 OPEX 和 CAPEX。Google 于 2016 年加入 OCP，Bel Power Solutions自 OCP 开始以来一直提供符合 OCP 的电源解决方案。
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大数据中心电源和能量使用的情况讨论，第四部分
我与 Vicor 的产品营销和技术资源公司副总裁 Robert Gendron 就他们的数据中心战略进行了交谈。我首先询问了在他们的架构中使用 GaN 的情况;Vicor 已与其他 FET 一起评估了该技术。
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Transphorm GaN 系统级电源转换解决方案实现了新的性能
最近，我会见了 Transphorm 总裁兼联合创始人 Primit Parikh。Parikh 强调，他们的 GaN on Silicon 解决方案是业内唯一通过 JEDEC 认证的产品。
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用于 AC-DC 电源转换的 GaN 评估板
Transphorm 发布了用于 AC/DC 转换的 TDTTP4000W065AN 评估板。该板使用其 SuperGaN Gen IV GaN FET 技术将单相交流电转换为高达 4 kW 的直流电，并采用传统模拟控制的无桥图腾柱功率因数校正 (PFC)。
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世界脑健康日：我国 "脑健康行动"启动，把握"机会窗口期"
北京2022年7月23日 /美通社/ -- 为贯彻落实党中央、国务院全面推进健康中国建设的战略部署，进一步促进脑健康科学普及，积极预防认知障碍、脑血管病与抑郁症等重大神经和精神系统疾病，在国家卫生健康委员会、健康中国行动推进委员会办公室和中华医学会的指导下，2022年7月22日&...
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涂鸦智能推出BornSmart主题活动，"燃爆"全球智能家居市场生态
加利福尼亚州圣克拉拉2022年7月18日 /美通社/ -- 众所周知，优质的智能产品不仅能创造更高效的生活方式，同时也能够带来更舒适的生活体验。 借助IoT技术，用户可以在现实中体验各种"天马行空"的智慧家庭场景 -- 从办公室开车回家时，可以远程打开客厅空...
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适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案
由于具有更好的品质因数，氮化镓等宽禁带半导体提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面积更小，因此需要更小尺寸的封装。假设器件占用的面积是决定热性能的主要因素，那么可以合理地假设较小的功率器件会导致较高的热阻。3,4本文将展示芯片级封装 (CSP) GaN FET 如何提供至少与硅 MOSFET 相同(如果不优于)的热性能。由于其卓越的电气性能，GaN FET 的尺寸可以减小，从而在尊重温度限制的同时提高功率密度。这种行为将通过 PCB 布局的详细 3D 有限元模拟来展示，同时还提供实验验证以支持分析。
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汽车应用中的宽带隙材料
电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 正在寻找提高功率转换效率的解决方案。 长期以来，大多数电子功率器件都是基于硅的，硅是一种可以在加工过程中几乎不会产生任何缺陷的半导体。然而，硅的理论性能现在几乎已经完全实现，突出了这种材料的一些局限性，包括有限的电压阻断能力、有限的传热能力、有限的效率和不可忽略的传导损耗。与硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 半导体具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
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从硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技术的发展
本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，了解电子世界是如何在短短几年内发生巨大变化的，因为新的 SiC 和 GaN MOSFET 的发现和开发。
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使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的电机驱动器第2部分
硅和碳化硅中的 IGBT 和 MOSFET 以类似方式驱动。该器件在 10-20 V 的栅极驱动下开启，通常关闭至 0 V 或负电压以实现更高的功率水平。分立增强型 GaN 器件通常需要 5-7 V 的栅极驱动，并且可能还需要负电压来关闭它们。如果没有正确优化，性能和可靠性都会受到影响。这是因为，虽然 GaN 是一种先进材料，但分立 GaN FET 确实有一个致命弱点：一个必须小心驱动的栅极节点。如果栅极上的电压过低，则 FET 没有完全导通，因此导通电阻和损耗都很高。如果电压太高，可能会损坏栅极。
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使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的电机驱动器第1部分
欧盟大约有 80 亿台电动机在使用，消耗了欧盟生产的近 50% 的电力。由于提高效率和减少碳足迹是政府和行业的主要目标，因此存在多项举措来降低这些电机的耗电量。例如，许多家用电器能源标签的全球标准通过降低能耗以及可听和电气噪声等来影响电器的设计。另一个例子是欧洲引入了工业电机的效率等级，有效地切断了低效率电机的市场。
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Kovol已成为140W GaN充电器市场的新玩家
深圳2022年6月27日 /美通社/ -- 去年，这家移动巨头公司推出了重新设计的16英寸笔记本电脑，配备了各种各样的端口、先进的连接功能和卓越的电池寿命，这些都需要一款140W电源适配器的支持。但众所周知，这款16英寸笔记本电脑的原装充电器只能为一个设备充电，这给那些想在商务旅...
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Kovol进入140W GaN充电器市场
（全球TMT2022年6月27日讯）Stiger Group（Anker、AOC和RAVPower的供应商）旗下的快充品牌Kovol将最新的Power Delivery 3.1应用到16英寸笔记本电脑设计的全新140W双口壁式充电器中，让其可以同时为两个设备快速充电。通过采用最...
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如何使用 GaN 进行设计
最近可能遇到了“GaN”，它正在一些关键的功率转换应用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 进行设计”中，我将了解氮化镓 (GaN) 与 Si 的不同之处，以及使用 GaN 创建电源设计时的关键考虑因素。
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GaN组件的单片集成提升了功率集成电路
本文分析了高性能肖特基势垒二极管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平台上的成功协同集成。这些组件的添加使芯片设计具有扩展的功能和更高的性能，使单片集成 GaN 功率 IC 更进一步。这一成就为更小、更高效的DC/DC 转换器和 PoL 转换器 铺平了道路。
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Imec 展示了肖特基二极管和耗尽型 HEMT 与 200 V GaN-IC 的成功单片集成
在 2021 年国际电子器件会议 (IEEE IEDM 2021) 上，世界领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心 imec 展示了高-性能肖特基势垒二极管和耗尽型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200 V GaN-on-SOI 智能功率集成电路 (IC) 平台上开发，该平台在 200 mm 衬底上开发。添加这些组件可以设计具有扩展功能的芯片并提高性能，从而使单片集成 GaN 功率 IC 更进一步。这一成就为更小、更高效的 DC/DC 转换器和负载点转换器铺平了道路。
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数字电源控制推进 GaN PFC 设计
我最近与您分享了TI 全新 Piccolo™ F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生产公告，该系列针对电源控制应用进行了优化。 Piccolo F28004x 用于高性能电源控制的主要特性包括：
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用于快速充电系统的 GaN 半导体
Navitas 的集成 GaN 解决方案 (GaNFast)通过提供五倍的功率密度、40% 的节能和 20% 的生产成本，使充电系统的运行速度比传统硅组件快 100 倍。例如，您将能够更快地为智能手机充电。
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玛氏宠物推出线上领养中心，温暖生命为宠物创造美好世界
北京2022年5月4日 /美通社/ -- 玛氏宠物旗下会员社交平台正式推出玛氏宠享会领养中心，秉承“为宠物创造美好世界”的愿景，建设链接宠物家长、爱心人士和待领养宠物的桥梁，积极推动领养公益的发展。 玛氏宠物营养新任中国总经理任嘉实（Ganesh Ramani）表示 ：...
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GaN 是否可靠，或者这是正确的问题？
氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 的采用正在迅速增加，因为它能够提高效率并缩小电源尺寸。但在投资该技术之前，我们可能仍会问自己 GaN 是否可靠。令我震惊的是，没有人问硅是否可靠。毕竟还是有新的硅产品一直在问世，电源设计人员也很关心硅功率器件的可靠性。
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