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Feb. 27, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元,较前一季成长9.9%;由于Server DDR5的合约价上涨,加上HBM集中出货,前三大业者营收皆持续季增。平均销售单价方面,多数应用产品的合约价皆反转下跌,只有美系CSP增加采购大容量Server DDR5,成为支撑Server DRAM(服务器内存)价格续涨的主因。
Chiplet技术不仅为国内半导体企业提供了突破传统单片设计的机会,也在芯片产业自主可控的过程中扮演了重要角色。互连IP,作为Chiplet架构的核心组件之一,正是实现不同模块之间高效通信的关键,为系统集成和功能扩展提供了强大支持。在这一过程中,奎芯科技作为国内半导体互连IP领域的先锋企业,积极推动Chiplet技术的发展和应用。
Oct. 30, 2024 ---- HBM产品已成为DRAM产业关注焦点,这使得Hybrid Bonding (混合键合)等先进封装技术发展备受瞩目。根据TrendForce集邦咨询最新研究,三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding,并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。
Sep. 30, 2024 ---- 近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧,而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数,加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长,目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。
Aug. 8 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新HBM报告,随着AI芯片的迭代,单一芯片搭载的HBM(高带宽内存)容量也明显增加。NVIDIA(英伟达)目前是HBM市场的最大买家,预期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后,其在HBM市场的采购比重将突破70%。
Jul. 22, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告,受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格,加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起,预估DRAM(内存)及NAND Flash(闪存)产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长,DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%,营收将创历史新高,并且推动资本支出回温、带动上游原料需求,只是存储器买方成本压力将随之上升。
7月12日消息,随着人工智能技术的飞速发展,作为AI芯片的关键技术支持,高频宽存储器(HBM)成为市场上的新宠,导致HBM内存目前面临严重的供不应求局面。
在全球经济放缓和内存芯片过剩库存的双重打击下,SK海力士在2022年遭遇了十年来的首次亏损。然而,这家韩国芯片巨头并未因此气馁,反而宣布了一项高达103万亿韩元(约合746亿美元)的巨额投资计划,旨在未来三年内重塑其在半导体和内存制造领域的领导地位。
大数据集计算的真正限制来自网络和内存两大瓶颈,而AMD Alveo V80则能够处理掉这两大瓶颈,并且帮助客户大幅降低TCO。
据韩国经济日报报道,SK海力士母公司SK集团会长崔泰源(Chey Tae Won)在接受采访时表示,该公司正在研究在日本和美国等其他国家建设高带宽存储(HBM)工厂的可能性。SK海力士正在提高HBM的产量,以满足人工智能(AI)热潮对高性能芯片激增的需求。
May 20, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
May 6, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional DRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。
Apr. 10, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询于403震后对DRAM产业影响的最新调查,各供货商所需检修及报废晶圆数量不一,且厂房设备本身抗震能力均能达到一定的抗震效果,因此整体冲击较小。美光、南亚科、力积电、华邦电等,均大致恢复100%的产线运作,其中仅有美光已经转进至先进制程,多为1alpha与1beta nm,预估将影响整体DRAM产出位元占比;其余DRAM厂仍停留在38、25nm,产出占比相对小。整体而言,预期本次地震对第二季DRAM产出位元影响仍可控制在1%以内。
Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。
Mar. 13, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,目前2024年HBM(High Bandwidth Memory)市场主流为HBM3,NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过,由于AI需求高涨,目前英伟达(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏,除了CoWoS是供应瓶颈,HBM亦同,主要是HBM生产周期较DDR5更长,投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。
HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能(AI)芯片,据业界消息,英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战,因为相比传统DRAM产品,HBM的良率明显较低。