IC Insights：NAND与DRAM朝3D发展

随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路，IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态，期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展蓝图。

在 2014年中期，制造 NAND存储器元件的最先进制程技术采用的是20nm以及更小的特征尺寸，而DRAM采用的制造技术还不到30nm。根据图1所示的制程技术蓝图显示，在2017年以前，最小特征尺寸为2D(平面)的NAND Flash将会过渡到10-12nm，而DRAM则将迁移至20nm或更小的 DRAM 。

不过，IC Insights坦承，这样的发展态势还无加以定论，因为制造制程节点的定义并不明确，尤其是在企业试图在竞争中取得某种优势时，就很容易受到营销「游戏数字」的影响。

量产NAND Flash和DRAM发展蓝图

为了制造NAND Flash ，2014年时已经加速量产15nm和16nm NAND芯片了。三星(Samsung)是第一家最先量产3D NAND芯片的公司。该公司在2014年5月宣布开始量产采用32层存储器单元的V-NAND Flash芯片。此外，在2013年，该公司已针对资料中心客户出货基于其第一代24层 V-NAND 技术的固态硬盘(SSD)。

从2D到3D NAND存储器全面转型的时机，将视3D成为更具成本效益选项之际而定，但这样的情况将会持续一段时间。甚至当达到成本的交叉点时，2D和3D NAND还可能共存好些年。

目前业界主要的DRAM制造商正以20nm级特征尺寸(20-29nm之间)进行量产制造。

如同NAND Flash 一样，DRAM技术也正朝向以垂直方向整合电路的趋势发展。3D DRAM解决方案的例子之一是由HMC联盟开发的混合存储器立方(HMC)。HMC联盟是由美光(Micron)和三星，以及包括Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、海力士 (SK Hynix)和赛灵思(Xilinx)等开发商共同组成。