储存技术和解决方案供应商 Western Digital 公司宣布成功开发出 96 层垂直储存的跨代 3D NAND 技术 BiCS4,预计 2017 年下半年开始向 OEM 厂商送样,并于 2018 年开始生产。BiCS4 是由 Western Digital 与其技术及制造合作伙伴东芝(Toshiba Corporation) 联合开发,最初将提供 256-gigabit 芯片,日后将会扩充其他容量,包括可达 1-terabit 的单一芯片。
莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程,可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…
东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界,宣布抢在存储龙头三星电子之前,研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性,指称东芝可能为了出售存储部门,蓄意放出消息、操弄媒体。
随着应用不断扩大,及系统产品内建容量持续扩增,今年来半导体硅晶圆、磊晶与内存等多项产品市况热络,在供应持续吃紧下,各项产品下半年价格依然看涨。
为什么烧录Nand Flash经常失败?为什么烧录成功了,一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来?…,等等,问了那么多为什么,那我反问一个问题:你了解Nand Flash的特
在最近结束的一次对美光CFO Ernie Maddock的采访中,他曾多次提到了关于“C”的观点。所以,我们现在简单整理一下这篇文章的论点。以便我们能够从中获取更多有价值的信息。具体而言,这篇文章主要是关于存储行业的循环周期和盈利的观点。
三星电子今天宣布,已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片,该闪存芯片将用于服务器,PC和移动设备。三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的
市调机构集邦科技旗下内存储存研究(DRAMeXchange)指出,第1季整体NAND Flash市况延续去年第4季的缺货情况,即使第1季为传统NAND Flash销售淡季,但通路颗粒合约价却仍上扬约20~25%,使得第1季6大品牌厂营收合计约119.078亿美元,仅较去年第4季微幅减少0.4%。
内存是半导体的主力产品之一,目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。
高启全表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
三星挟带存储器产业龙头优势,本季营收可望超越英特尔而荣登半导体产业王座,证明了后PC时代的到来,随着移动产业、物联网及智能汽车产业兴起,让原先并未扩产的存储器产业
3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出,这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下,调研机构Gartner表示,2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3%,达374.07亿美元。一扫2015年规模年减1%阴霾。
全球存储器龙头大厂针对3D NAND Flash开始全力强化其战力,包括韩系龙头的三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系东芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特尔(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生产,熟悉后段封测业者表示,估计2017年第3季NAND Flash供需紧绷市况可望稍微缓解,价格涨势回稳,而进入3D NAND时代后,存储器封测业者中,又以力成最为受惠。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
前几日,SK海力士正式宣布量产最强72层3D NAND闪存颗粒,一时间震撼全行业。可近日,韩国媒体给出的报道称,三星将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。这是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方
据外媒报道,三星电子位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂将从7月份开始运营。据了解,这是全球规模最大的芯片工厂,占地面积达289万平方米,2015年开始建造,耗资15.6万亿韩元,约合人民币940亿元。这座工厂将主要
根据中国媒体的报导,有消息人士指出,紫光集团旗下的长江存储技术公司(YMTC)目前正在规划开发自己的 DRAM 存储器制造技术,而且可能直接进入当今世界最先进的 20/18 纳米的制程中。
三星电子位于韩国平泽(Pyeongtaek)的工厂,号称是全球最大的半导体工厂。消息传出,平泽厂预定 7 月启用,将生产第四代 3D NAND。
2017年4月5日,宜鼎国际(Innodisk)在德国.纽伦堡嵌入式电子与工业电脑应用展上宣布独家研发的iSLC NAND闪存已经实现大规模量产出货.