2017年三星电子(Samsung Electronics)同步启动DRAM、3D NAND及晶圆代工扩产计划,预计资本支出上看150亿~220亿美元,远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模,三星为确保新产能如期开出,近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约,狂扫全球硅晶圆产能,并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%,主要便是为支持三星产能需求做准备。
不久前,三星电子宣布,未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过,三星称,“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是,三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
日本半导体设备市场,从2016年夏季日圆对美元汇率下跌以来,便持续成长,现在除短期的存储器与面板设备需求畅旺外,中长期还有5G与物联网(IoT)相关设备需求,市场开始认为这波不是传统的2年景气周期,而是更长期设备市场荣景的开始。
近日消息,三星电子称预计未来三年将投资70亿美元,扩大其在中国西安工厂的NAND闪存芯片(晶片)生产。据路透社报道,该公司在一份监管文件中称,28日已批准70亿美元预期投资中的23亿美元支出。报道称,三星电子7月初曾
研调机构集邦科技内存储存研究DRAMeXchange指出,今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响,即便处于传统NAND Flash的淡季,各产品线合约价平均仍有3~10%的季增水平。
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限,给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术,垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度。基于该技术,可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)碍于南韩新颁布的学生不得加班法令,满手订单却陷入缺工困境,正急着大举招募新人帮手。
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
据外媒消息,三星电子 NAND Flash 技术再升级,9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片,预计明年问世。三星宣称,这一技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一,本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上,计划2018年推出最大容量的SSD产品。
由于云端应用带动数据中心建设、智能手机追求更大容量和更快运算,以及 4K 电视等高性能电视需要更多存储器等因素,数据暂存处理用的 DRAM,以及数据存储用的 NAND Flash,市场成长速度均高于电脑与智能手机市场的成长率。
据海外媒体报道,从去年下半到今年上半以来,DRAM 均价飙升 17%、NAND 均价攀涨 12%,主要是由于存储器进入制程转换,产能大减,使得厂商无不撒钱扩产。但是 IC Insights 警告,过度投资恐怕会导致产能过剩。
近期大陆紫光集团抛出旗下紫光国芯终止对长江存储的股权收购,成为两岸存储器产业震撼弹,紫光国芯原本要100%收购专职3D NAND业务的长江存储,但紫光内部评估长江存储未来要进入获利阶段,可能要等上5年,因此,紫光国芯暂停该收购案,但紫光仍强调长江存储需要的人民币386亿元(折合新台币逾1,700亿元)资金全数到位,建设时程一切按既定计划。
据报道,矽力杰今年下半年营运将可望逐季增长,本季受到非苹智能手机阵营下单偏向保守,以及工业用SSD因缺货让出货受到压抑,不过今年第四季可望因为各项产品出货表现开始放量出货,全年合并营收将冲上年成长2成的高水平表现。
据报道,世界的半导体市场此前一直以美韩日厂商唱主角,现在中国企业正试图参与进来,而中国企业的巨额投资很有可能成为半导体市场混乱的风险因素。
人们一直期待着更快、更实惠、更可靠的存储产品,而大型数据中心则更关注与能源效率。本文要为大家介绍的,就是东芝 BiCS 3D TLC NAND 闪存所使用的硅穿孔(TSV)技术。其声称可减少存储应用的功耗,同时保障低延时、高吞吐、以及企业级 SSD 的每瓦特高 IOPS 。据外媒所述,这是当前业内首个推向市场的硅穿孔 NAND 闪存产品。
中国的智能手机企业饱受存储芯片短期的困扰,存储芯片价格的暴涨导致国产手机企业的利润下滑,加上存储芯片对国家信息安全的重要性,这让中国加速发展自己的存储芯片产业,
据报导,东芝半导体原订在 6 月 28 日股东会同时,与日美韩联盟签约,但后来东芝以「联盟内部仍有意见待调整」为由,造成无法顺利签约,报导指出,主要关键在于 SK 海力士的态度。
多年以来,2D NAND 一直都是半导体工业光刻(lithography)技术的发展推动力,其印刷尺寸是最小的,而且保持逐年下降。随着 2D NAND 的尺寸缩小到了十几纳米节点(16nm、15nm甚至 14nm),每个单元也变得非常小,使得每个单元中仅有少数几个电子,而串扰问题又使得进一步缩小变得非常困难而且不够经济。
据外媒报道,从去年下半年至今,SSD/内存的价格就坐上了火箭,而且一点降价的迹象都没有,反而是SSD厂商不断传出不利因素,致使很多用户每天都在提心吊胆。不过现在总算有好消息了,首先是三星即将量产第四代堆叠闪存,还有是SK海力士也在进一步提高产能。
来自台湾地区的行业消息称,苹果公司(以下简称“苹果”)新一代智能手机iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND闪存芯片供应不足的问题。