近日消息,全球存储器市场不景气,而伪劣商品却大行其道,过去市面上曾出现黑心记忆卡,但近期在市场却首次出现黑心NAND Flash,大批已封装晶圆颗粒经拆封后,竟发现里面连芯片都没有,且已整批流窜到市面上,其中,
据《日本经济新闻》18日报道,东芝公司今年4~9月业绩急速下滑,营业利润预计将出现300亿日元(1美元约合105日元)左右的赤字。 据悉,这将是东芝公司5年来首次在财年上半期出现经营赤字,集团销售额预计也将比去年
闪存专业厂商与NOR市场领先厂商Spansion将在今年稍晚开始生产基于ORNAND2 MirrorBit技术的NAND闪存器件,面向手机厂商。 该公司表示,这种器件与目前的流动门NAND相比,写入速度快25%,读速度最高可达两倍,而且裸
iSuppli公司表示,第二季度美光科技缩短了与海力士半导体的NAND闪存市场份额差距,从而为实现今年夺取行业季军的目标奠定了基础。
NAND Flash控制芯片市场越来越艰辛,2008年将破天荒出现第3季度营运出现衰退窘境!慧荣表示,第2季度出货量虽突破1亿颗,但毛利率首度跌破50%,更下修全年营运目标,造成慧荣在美股价于盘后大跌25%,而纯NAND
NAND Flash控制芯片低头
据一份提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件,为了扩大合作,SanDisk与东芝(Toshiba)计划合作开发某些类型的可重写3D存储芯片。 由SanDisk提交的这份文档表示,SanDisk与东芝“将贡献和交叉授权与这项3D合
在NAND闪存市场下滑之际,日本东芝(Toshiba)将小幅缩减NAND闪存产量。为此,该公司计划停止FlashVision Ltd.的NAND生产。这是东芝与SanDisk公司之间的合资企业,位于它在日本四日市的工厂。FlashVision负责东芝的
在NAND闪存市场下滑之际,日本东芝(Toshiba)将小幅缩减NAND闪存产量。为此,该公司计划停止FlashVision Ltd.的NAND生产。这是东芝与SanDisk公司之间的合资企业,位于它在日本四日市的工厂。FlashVision负责东芝的
Intel和美光(Micron)日前宣布,其合资公司IM Flash Technologies已经开发出基于34nm工艺的32Gb MLC NAND闪存单芯片,该器件die面积仅为172mm2,将使用300mm晶圆片制造。Intel和美光计划从6月份开始提供样片,量产
韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力,开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道,海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。
40、30纳米产能倾巢出 NAND Flash乌云密布,4大阵营新世代产线起跑 3Q价格大战一触即发。
目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制.实测结果显示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求.