消费电子
SanDisk联手东芝开发3D存储芯片 欲取代NAND技术
时间：2008-06-23 06:36:34
手机看文章
扫描二维码
随时随地手机看文章
[导读] 据一份提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件，为了扩大合作，SanDisk与东芝(Toshiba)计划合作开发某些类型的可重写3D存储芯片。
由SanDisk提交的这份文档表示，SanDisk与东芝“将贡献和交叉授权与这项3D合
据一份提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件，为了扩大合作，SanDisk与东芝(Toshiba)计划合作开发某些类型的可重写3D存储芯片。
由SanDisk提交的这份文档表示，SanDisk与东芝“将贡献和交叉授权与这项3D合作有关的技术，并将共同开展研发，作为提供知识产权授权的组成部分，SanDisk将接受东芝支付的一定金额的授权费。”
多年以来，东芝和SanDisk一直在NAND闪存方面开展合作。双方目前正在供应43纳米NAND闪存，每单元3位(x3)技术正在开发之中。
市场调研公司Forward Insights的总裁Gregory Wong认为，这项3D技术面临许多挑战。“4级3D R/W内存将必须至少在制程方面追上NAND闪存，才能被视为可与x4 NAND闪存竞争，”Wong表示，指的是基于NAND的每单元4位技术。
“这将使3D R/W内存至少要等3-4年后才能问世，”Wong表示，“另一个问题是，8级堆叠是否能够以较高的成品率生产出来。Matrix曾于2003年展示过一款8级堆叠，但采用的是不太先进的0.25μm制程。用领先制程生产8级内存堆叠是另外一回事。”
下载文档本站声明： 本文章由作者或相关机构授权发布，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者，如若文章内容侵犯您的权益，请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读
近日，市场研究机构TrendForce发布的最新报告显示，在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场，三星电子但仍稳居第一，SK海力士则超越铠侠跃居第二，这两家韩国闪存厂商合力拿下了全球52.9%的市场份额。具体...
关键字： NAND NAND Flash 三星 SK海力士
