NAND Flash控制芯片低头

    NAND Flash控制芯片市场越来越艰辛，2008年将破天荒出现第3季度营运出现衰退窘境！慧荣表示，第2季度出货量虽突破1亿颗，但毛利率首度跌破50％，更下修全年营运目标，造成慧荣在美股价于盘后大跌25％，而纯NAND Flash控制芯片设计业者如三星电子(Samsung Electronics)转投资的擎泰等，也面临第3季度营运较第2季度衰退情况。

    慧荣总经理苟嘉章表示，第2季度许多NAND Flash厂开始减产，并降低记忆卡代工量，连带影响控制芯片业者出货量，加上插卡式手机市场销售不如预期，间接打击控制芯片业者营运，2008年第2季度是慧荣在美挂牌以来，首次未达到财测目标，是相当具挑战性的1季度。

    控制芯片业者表示，随着产业毛利率下滑，控制芯片产业势必面临新1波整合潮，加上现在NAND Flash大厂都自己做成卡，大部分模块厂都直接购买成卡，而不需采购控制芯片，对于设计公司而言算是致命冲击，生存空间受到很大影响。

    慧荣第2季度出货量超过1亿颗，较2007年同期增长29%，但因为消化库存，以及移动通讯产品组合从调谐器转为系统级封装(SiP)影响，毛利率下滑至47.3%，而在美国那斯达克(NASDAQ)挂牌的IC设计公司，毛利率几乎是以50％为最低门坎。

    以非国际公认会计原则(Non-GAAP)会计基础计算，慧荣第2季度每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.26美元，较2007年同期衰退43%，然以GAAP会计基础来看，每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.06美元，衰退更达78％。苟嘉章表示，主要是因为第2季度有许多一次性认列费用，包括新帝(SanDisk)官司费用、研发费用课税重新计算等。

    此外，慧荣也下修全年财测目标，估计全年Non-GAAP每单位美国存托凭证盈余将由之前预计1.95~2.05美元，下修为1.30~1.40美元，而GAAP每单位美国存托凭证盈余预计修正至0.50~0.60美元，同时预告第3季度营收将旺季不旺，较第2季度衰退5~9%。

    擎泰也表示，第2季度公司营收和获利都很不错，但第3季度大环境变量相当多，虽然有一些新的快闪记忆卡和随身碟控制芯片订单，但整体来看，不排除第3季度营运较第2季度衰退。

    此外，安国产品线除NAND Flash相关产品，也包括卡片阅读机、HUB芯片等，虽然不完全随着NAND Flash产业起伏，然针对第3季度营运也保守表示，仅较第2季度增长10％，NAND Flash产品线贡献度是最大变量。