[导读]40、30纳米产能倾巢出 NAND Flash乌云密布,4大阵营新世代产线起跑 3Q价格大战一触即发。
三星电子(Samsung Electronics)26日举行年度Mobile Forum,揭示NAND型闪存(Flash)下世代42纳米工艺技术,将提前于5月底送样,第3季度步入量产,目前40纳米世代NAND Flash工艺,新帝(SanDisk)和东芝(Toshiba)阵营动作最快,43纳米工艺预计第2季度底前量产,至于海力士(Hynix)48纳米工艺,以及英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营35纳米工艺,都预计于第3季度量产,业界担心第3季度之后NAND Flash产能倾巢而出,将再度重演价格战。
NAND Flash大厂甫于2008年第1季度正式进入50纳米工艺世代,但随即进入40纳米世代准备期,以目前4大阵营进度来看,新帝和东芝阵营43纳米仍旧跑第1,预计第2季度底前进入量产,领先其它3大NAND Flash阵营。三星宣布提前42纳米工艺进度,由原本计划于第3季度送样给厂商,提前至5月底至6月初,并有信心于第3季度步入量产,力图与东芝一较高下。
由于海力士48纳米工艺蓝图亦宣称第3季度可量产,加上英特尔与美光阵营35纳米工艺,亦计划在第3季度底之前量产,因此,整个NAND Flash产业在2008年下半年正式步入新1代40和30纳米工艺阶段,恐引爆新一波大战。
不过,过去在50纳米工艺因良率提升不易,量产时程一再延后,这些NAND Flash大厂40纳米以下工艺产品能否顺利在第3季度量产,仍有待观察。内存厂表示,2007年整个NAND Flash产业,70纳米工艺比重高达70%,50纳米比重还不到20%,2008年第1季度50纳米工艺才步上主流地位,尽管目前各家NAND Flash厂对于40和30纳米工艺量产时间,都规划得相当漂亮,但届时真正投片后良率可否如期提升,还是个疑问。
然内存厂仍相当忧心,若是各厂新1代工艺都真的如期在第3季度量产,届时NAND Flash市场可能再度引发价格战。事实上,目前NAND Flash价格处于恐怖平衡状态,NAND Flash大厂产出都不算太多,苹果(Apple)亦于5月开始备货,但终端需求却相当低迷,第3季度需求是否复苏,仍待进一步观察。
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