受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰,2011 部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期,及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下,8月上旬NAND Flash芯片市场买气依然疲弱,
在日前的一场闪存高峰会中,SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出,下一代光刻技术的延迟,将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟,闪存的成长可
计算机用DRAM芯片价格快速下跌,NAND Flash合约价也从6月起出现陡峭跌幅,2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机 (Tablet PC)新品陆续问世,可望带动NAND Flash价格回升
历经过去2个月的不断地交涉协商后,7月底时多数的NAND Flash买卖双方业者,终于就多数的 NAND Flash芯片合约价格大致达成了共识。由于6月到7月期间正值记忆卡和UFD通路市场及系统产品OEM客户的传统淡季,再加上2Q季底
据韩国电子新闻报导,计算机用DRAM芯片价格快速下跌,NANDFlash合约价也从6月起出现陡峭跌幅,2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机(TabletPC)新品陆续问世,可望带动
三星电子执行长崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示,三星下半年的资本支出也不会减少,且还会高于原先预期,因为公司过去一贯的传统都不会仅依据一年的营运展望来拟定投资计画;这象征在DRAM 产业价格血流成河,且NAND
外电指出,三星电子(Samsung Electronics)执行长崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示,三星下半年的资本支出也不会减少,且还会高于原先预期,因为公司过去一贯的传统都不会仅依据一年的营运展望来拟定投资计画;这象征在
据一家市调公司Objective Analysis对近300个PC性能测试数据进行研究后得出的结论,他们认为NAND闪存将会对DRAM内存产业形成严重的威胁。他们的研究报告名为《看PC NAND闪存如何削弱DRAM内存的影响力》,文中列举了大
由于iPad和iPhone等产品热销,预计今年苹果仍将是全球最大的NAND闪存买家,占全球需求的30%左右。但据IHS iSuppli公司的报告:“Will iCloud Bring an End to Local NAND Storage”,苹果新推出的iCloud存
三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说,新厂编号为“Line-16”,主要生产NAND芯片。2010年5月时,三星在韩国京畿道(Gyeonggi Province)华城(Hwaseong)破土动工,建立新的工厂。此前三星曾透
三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说,新厂编号为“Line-16”,主要生产NAND芯片。2010年5月时,三星在韩国京畿道(GyeonggiProvince)华城(Hwaseong)破土动工,建立新的工厂。此前三星曾透露
据业内媒体提供的最新消息显示,韩国电子三星公司旗下半导体工厂Line-16预计将于今年9月份正式投产。其实早在2010年5月三星就已经举行了新内存芯片制造厂Line-16的动土典礼,据悉该厂总造价约为12兆韩元(约50亿美元)
据业内媒体提供的最新消息显示,韩国电子三星公司旗下半导体工厂Line-16预计将于今年9月份正式投产。其实早在2010年5月三星就已经举行了新内存芯片制造厂Line-16的动土典礼,据悉该厂总造价约为12兆韩元(约50亿美元)
据国外媒体报道,日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂,以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半导体,工厂名称为“Fab 5”。 这
由于iPad和iPhone等产品热销,预计今年苹果仍将是全球最大的NAND闪存买家,占全球需求的30%左右。但据IHS iSuppli公司的报告:“Will iCloud Bring an End to Local NAND Storage”,苹果新推出的iCloud存
为应对智能手机旺盛需求,东芝半导体新工厂12日正式投产,预计8月出货。 据日本共同社7月13日报导,东芝在三重县四日市市新建的四日市第五工厂12日举行了竣工仪式。 工厂已从7月开始量产半导体产品,计划于8月起出
据韩国媒体报导,2011年第1季NANDFlash市场上,日厂东芝(Toshiba)猛力追击,以市占率0.3%差距,威胁三星电子(SamsungElectronics)8年来业界第1的地位。然而在快速成长的行动DRAM市场上,三星仍坐拥压倒性的市占率。外
摘要 基于Flash存储器的Hamming编码原理,在Altera QuartusⅡ7.0开发环境下,实现ECC校验功能。测试结果表明,该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据,能够检测出1 bit错误和2 bit错误,对于1 bit错误
存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局,部分业者认
存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局,部分业者认