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NAND Flash大厂积极制程转换 下半年20纳米当道
2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场；根据市调机构Tren
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NAND Flash大厂积极制程转换 下半年20纳米当道
2011年全球NANDFlash中，全球三星电子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NANDFlash市场；根据市调机构TrendForc
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日本再震 中小尺寸面板扩大释单台湾工厂
日本二度发生强震，中小尺寸面板与存储器产业链都将继续有短期转单效应，为奇美电、群联、旺宏、力成等业者淡季营运添柴火。日立显示器公司宣布因工厂位于限电区，工厂生产受到影响，将把更多智能型手机使用的小尺寸
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三星与海力士纷纷提升NAND Flash芯片产量
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bi
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三星与海力士纷纷提升NAND Flash芯片产量
据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)需求暴增，三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年双双提升NANDFlash芯片产量。据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NANDFlash位元成长率(
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移动设备应用扩大NAND Flash投资
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bi
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移动设备应用增 三星、海力士扩大NAND Flash投资
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)需求暴增，三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年双双提升NANDFlash芯片产量。据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NANDFlash位元成长率(BitGrowt
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力成 首季财报激励 突破反压
力成（6239）首季财报缴出亮丽成绩单，本季营收可望持续成长，激励力成上周五股以涨停板104元作收，股价突破所有短中长期均线反压，投信、外资分别回补持股。 力成上周召开法说会，董事长蔡笃恭对第2季营运展望乐
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C8051F的超大容量Flash存储器扩展
摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。引
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美光：内存厂要DRAM、NAND Flash双栖 否则存活不易
美光(Micron)企业发展副总裁MichaelSadler表示，内存产业正从谷底复苏，最坏情况已过，未来DRAM产业将处于供给平衡状态，NANDFlash产业则会供不应求，且在平板计算机(TabletPC)、固态硬盘(SSD)等应用对于NANDFlash芯
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美光：不排除授权华亚科代工NAND Flash
由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能
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力晶冲刺晶圆代工业务，估年底占产能逾半
力晶(5346)标准型DRAM未来将转为尔必达代工生产，在自身的产能调配上将更加灵活，力晶发言人谭仲民说，接下来将全力冲刺晶圆代工业务，预估今年底将占超过一半产能，另外，由于公司矽晶圆的料源供应相当分散，其中一
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东芝将量产19nm工艺64Gbit NAND
东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出
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NAND Flash嵌入式存储系统结构分析
NAND Flash嵌入式存储系统结构分析
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Intel与美光将NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm，不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里，而果不其然，它们又再度携手，将技术推至20nm，并且打造出仅118mm平方大小的8GBMLC Flash，比
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英特尔美光合约结束 IM新加坡厂动向成关键
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Tech
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英特尔美光推20纳米级NAND芯片 下半年量产
据国外媒体报道，英特尔和美光周四推出一种新型闪存存储制造技术，这一技术使电子存储芯片设计更加密集化，有利于缩小产品占据的空间。此款20纳米级的 NAND芯片产品估计可在今年下半年大量生产。英特尔和美光曾经合
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Intel与美光将NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm，不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里，而果不其然，它们又再度携手，将技术推至20nm，并且打造出仅118mm平方大小的8GB MLC Flash，比起25nm更
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英特尔、美光合约将尽 IM新加坡厂动向成关键
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Tec
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支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器设计
摘要：先对ONFI标准进行了介绍，然后再设计了一种支持ONFI2．1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括状态机的设计，接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下，信号的对齐问题进行了说明，并提出了一种解决方
