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MRAM热辅助写入 为实现20nm以下工艺所必需

法国研究机构SPINTEC与开发MRAM技术的Crocus Technology共同开发出了将热辅助切换(Thermally Assisted　Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技术。并在2011年10月31日于美国亚利桑那(Arizona)州斯科茨

报告称2013年亚太将成最大M2M市场

北京时间11月4日早间消息（蒋均牧）电信调研机构Pyramid Research最新报告显示，以客户数计，亚洲-太平洋地区预计将在2013年成为最大的M2M（机器与机器通信）市场，到2016年占到整个M2M市场的37%份额。“中国式

3D闪存将优先于RRAM技术进入市场

基于金属氧化物的非挥发性存储器 ──电阻式RAM(RRAM)，在11nm节点前不可能进入市场；在此之前，堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合芯片发展，IMEC研究所存储器研究专案总监Laith

RAM读写时序限制解决方案

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孟加拉国Grameenphone第三季度净利7300万美元 同比翻番

北京时间10月25日早间消息（蒋均牧）孟加拉国最大电信运营商Grameenphone公布了2011年第三季度财政报表。据财报显示，其季度净利润达56.3亿孟加拉塔卡（C114注：约合7300万美元），利润率约为24.7%；较去年同期的29

IMEC：3D Flash有潜力 RRAM还需等待

基于金属氧化物的非挥发性记忆体──电阻式 RAM (RRAM)，在 11nm 节点前不可能进入市场；在此之前，堆叠式浮闸 NAND 快闪记忆体相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合晶片发展， IMEC 研究所记忆体研究

永久性CMOS RAM的备用电源

基于单片机的VRAM型彩色液晶显示模块设计

介绍一种基于AVR单片机和硬件汉字库的VRAM 型彩色液晶显示模块的设计。给出彩色液晶显示器的显示原理、硬件接口设计框图以及硬件汉字库的制作和应用，同时给出基于C语言的程序设计模块，实现了应用VRAM 型液晶的模块

永久性CMOS RAM的备用电源

冥王星大气层在望远镜观测下又有新发现

你或许还对当年的九大行星，尤其是距离太阳最远的冥王星记忆深刻吧。但事实上2006年冥王星便被从九大行星中除名，降格为一颗矮行星。而即便是降格为矮行星，它仍旧是特殊的，它是目前已知唯一一颗确认拥有大气层的矮

东亚日报：新半导体战争

半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存（D-RAM）市场占上风。但由于大型计算机的出现，需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代，日本企业名列前茅。而进入二十世纪九十年代后，高

研究：专利流氓已挥霍创新公司5000亿美元

根据美国波士顿大学的研究指出，所谓的Non-practicing（主要是指自己不生产产品，通过购买或取得重要专利控告大公司牟利）或是专利流氓（patent trolls）已经让企业花掉了将近半兆美元。而研究人员James E.Bessen、M

APR9600在电话遥控系统中的应用

近年来，数码语音处理技术领域已逐渐发展成为两大阵营——传统的数字语音技术和新型的模拟语音技术。前者是将语音信号经模数转换(A/D)变成数字代码，存储到各种数字存储器(ROM,SROM,EEPROM等)中，还原时再

Rambus指控美光和海力士串谋打压其芯片技术

9月20日消息，Rambus律师周一在法庭上表示，微芯片制造商美光和海力士串谋打压Rambus高端芯片技术，以阻止Rambus技术成为业界标准。不过美光和海力士在加州法庭上回击称：“Rambus的RDRAM内存芯片技术失败的原因

基于DSP的外部存储器引导方法实现

TI公司的高速数字信号处理器TMS320C6000系列DSP支持并行处理，采用甚长指令字(VLIW)体系结构，内部设置有8个功能单元(两个乘法器和6个ALU)，8个功能单元可并行操作，最多可以在一个周期内同时执行八条32位指令。指令

基于DSP的外部存储器引导方法实现

基于DSP的外部存储器引导方法实现

Crocus科技宣布收购恩智浦的MRAM专利

Crocus科技日前宣布收购恩智浦的一系列MRAM专利，恩智浦MRAM专利涵盖了北美及欧亚多个地区，Crocus并没有透露具体交易价格。Crocus执行主席Bertrand Cambou在一份声明中指出：“现如今，知识产权在技术市场的竞争中显

Crocus科技宣布收购恩智浦的MRAM专利

Crocus科技日前宣布收购恩智浦的一系列MRAM专利，恩智浦MRAM专利涵盖了北美及欧亚多个地区，Crocus并没有透露具体交易价格。 Crocus执行主席Bertrand Cambou在一份声明中指出：“现如今，知识产权在技术市场的

法拉电容在RAM数据保护中的应用

法拉电容也叫超级电容器，双电层电容，其体积小、容量大、电压记忆特性好、可靠性高。与充电电池相比,具有充电时间短、功率密度高、使用寿命长、低温特性好及无环境污染等优势[2]。在数据保护电路中采用法拉电容取代