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投资超1亿，投资1亿美元，SK海力士子公司Solidigm计划在美建半导体研发中心
9月20日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道称，SK海力士子公司Solidigm计划在美国加利福尼亚州投资超过1亿美元(约合人民币7.01亿元)建立半导体研发中心。
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SK海力士宣布在韩国清州建设M15X新工厂，总投资15万亿韩元
9月20日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道称，SK海力士子公司Solidigm计划在美国加利福尼亚州投资超过1亿美元(约合人民币7.01亿元)建立半导体研发中心。
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NAND Flash哪家强？三星和SK海力士合力拿下全球52.9%的市场
近日，市场研究机构TrendForce发布的最新报告显示，在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场，三星电子但仍稳居第一，SK海力士则超越铠侠跃居第二，这两家韩国闪存厂商合力拿下了全球52.9%的市场份额。具体来说，二季度三星电子NAND销售额为59.8亿美元，环比下滑5.4%，市场份额也由上一季度的35.3%，降至33%，但仍是全球第一大NAND厂商。
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芯片封装是关键技术，传SK海力士将在美国建芯片封装工厂
据路透社报导，知情人士透漏，就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后，韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂，并将于2023 年第一季左右破土动工。
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闪存芯片还得看SK海力士，发布全球首款238层闪存芯片，明年上半年量产
韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC(Triple Level Cell)4D闪存芯片(NAND)样品，该芯片将于明年上半年实现量产。据悉，SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上首次公开该产品。
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节约成本？SK海力士搁置韩国NAND工厂扩产计划，2023年支出减少25%
据韩联社(Yonhap)今日引述未具名消息人士的话报导称，面对当前半导体需求转弱的情况，SK海力士董事会已于6月底决定暂缓清州(Cheongju)园区扩产方案，并考虑将2023年的资本支出削减25%至122亿美元。资料显示，SK海力士今年5月时计划在韩国清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工厂M17，预计2023年初动工，最快2025年竣工。
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SK海力士扩大中国市场？SK海力士在华扩大投资并建设新晶圆工厂
爱思开海力士·英特尔DMTM半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂，从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。全球领先的半导体供应商SK海力士已在中国市场深耕十余年。2020年，SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。2021年，SK海力士顺利完成第一阶段交割。为加快推动项目发展，决定在大连继续扩大投资并建设新工厂。
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SK海力士计划5年投资15万亿韩元建设M15X半导体生产工厂
SK海力士将在韩国忠北清州市建设新半导体生产工厂M15X(eXtension)。SK海力士计划今年10月在韩国清州科技城产业园区内约6万平方米的用地开建M15X，并目标于2025年初竣工。公司计划在今后5年内共投资15万亿韩元建设M15X工厂并引进生产设备。M15X是复式结构，其...
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SK海力士计划5年投资15万亿韩元建设M15X半导体生产工厂
（全球TMT2022年9月6日讯）SK海力士将在韩国忠北清州市建设新半导体生产工厂M15X(eXtension)。SK海力士计划今年10月在韩国清州科技城产业园区内约6万平方米的用地开建M15X，并目标于2025年初竣工。公司计划在今后5年内共投资15万亿韩元建设M15X工厂并...
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SK海力士计划5年投资15万亿韩元建设M15X半导体生产工厂
SK海力士将在韩国忠北清州市建设新半导体生产工厂M15X(eXtension)。SK海力士计划今年10月在韩国清州科技城产业园区内约6万平方米的用地开建M15X，并目标于2025年初竣工。公司计划在今后5年内共投资15万亿韩元建设M15X工厂并引进生产设备。M15X是复式结构，其...
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SK海力士下月在韩国清州开建M15X新工厂
M15X将于今年10月动工，预计2025年初竣工，决定在今后5年内投资约15万亿韩元 自2012年并入SK集团10年后，将开启新10年的第一个生产设施 提早决定韩国内投资，奠定未来成长基础 首尔2022年9月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，ww...
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转载 | SK海力士开发出DDR5 DRAM CXL™存储器，将扩大CXL存储器生态系统
SK海力士开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品，加快了抢占下一代内存解决方案市场的步伐。该产品的形状系数(Form Factor，产品的形状或尺寸)为EDSFF(Enterprise & Data Center Standard Form Factor)E3.S，支持PCIe 5.0 x8通道，采用配备CXL控制器，使用DDR5标准DRAM。
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小米生态链新品眼镜相机；巴慕达氛围音箱M01D；SK海力士业界最高层数的238层NAND闪存
（全球TMT2022年8月6日讯）小米生态链新品眼镜相机正式发布；巴慕达氛围音箱M01D版本在国内首发；卡西欧PRO TREK户外手表系列及G-SHOCK抗震手表系列各新增三款产品；SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存；宜鼎国际正式推出全新边缘运算固...
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SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存
新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 "公司将持续创新并不断突破技术瓶颈" 韩国首尔2022...
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SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存
（全球TMT2022年8月3日讯）SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。 图1...
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Intel将彻底退出傲腾存储业务，不再开发新产品
当年把闪存业务卖给SK海力士时，Intel保留了Optane(傲腾)业务的火种，甚至在与美光结束3D Xpoint存储芯片研发和生产时，依然表示会继续开发傲腾产品。
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芯片缺不缺？SK海力士搁置清州NAND工厂扩产，2023年支出削减
7月19日消息，据韩联社(Yonhap)今日引述未具名消息人士的话报导称，面对当前半导体需求转弱的情况，SK海力士董事会已于6月底决定暂缓清州(Cheongju)园区扩产方案，并考虑将2023年的资本支出削减25%至122亿美元。资料显示，SK海力士今年5月时计划在韩国清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工厂M17，预计2023年初动工，最快2025年竣工。
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SK海力士已为Solidigm任命新高管 ，业务整合加速
据国外媒体报道，SK 海力士 90 亿美元收购英特尔 NAND 闪存及存储业务第一阶段 70 亿美元的交易，在去年年底就已完成，SK 海力士也在加州圣何塞成立了名为 Solidigm 的子公司，管理从英特尔收购而来的相关资产。而韩国媒体最新的报道显示，为了加速与 Solidigm 的整合，SK 海力士已任命了新的高管。
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SK海力士发布2022财年第二季度财务报告
结合并收入13.811万亿韩元，营业利润4.193万亿韩元，净利润2.877万亿韩元 第二季度为准营收创历史新高，时隔两个季度实现超过4万韩元的营业利润 根据下半年需求放缓的预测，将慎重考虑明年的投资计划 首尔2022年7月27日 /美通社/ -- SK海力士...
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SK海力士、德州仪器、康宁发布财报；戴尔科技再度亮相消博会
（全球TMT2022年7月27日讯）SK海力士发布截至2022年6月30日的2022财年第二季度财务报告。公司2022财年第二季度结合并收入为13.811万亿韩元，营业利润为4.193万亿韩元，净利润为2.877万亿韩元。公司本季度的营收创下了历史上首次超过13万亿韩元的业绩。...
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