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东芝诉海力士 因技术流失损失一千多亿日元
【导读】日前，东芝公司就有关闪存研究数据被非法泄露给韩国SK海力士公司一事，宣布已向东京地方法院提起民事诉讼，要求SK海力士赔偿损失。 报道称，东京警视厅警方以涉嫌违反不正竞争防止法(公开营业秘密)为理由
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20纳米DRAM制程战火点燃 三星、SK海力士将量产
据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
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三星、SK海力士晶圆代工多样化研发通讯、车用新制程
三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)积极研发新制程，以强化系统晶片代工事业。据DDaily报导，三星系统LSI事业部近来完成28奈米射频晶片(Radio Frequency；RF)制程研发，并公开将提供给IC设计业者的制
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20纳米DRAM制程战火点燃 三星、SK海力士将量产
据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
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东芝、闪迪诉SK海力士窃取其先进闪存芯片技术
外媒报道称，日本东芝和美国SanDisk对韩国SK海力士提出民事诉讼，称SK海力士涉嫌窃取其用于智能手机及平板电脑的主要闪存芯片技术相关资料，并要求损害赔偿。SK海力士表示尚未收到该件诉讼通知，并不予置评。报道称，
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三星、SK海力士拟扩大TSV技术 设备业者可望受惠
伴随半导体制程进化到3D结构，相关设备业者在股市上也倍受注目。南韩金融投资业界指出，三星电子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半导体业者在3DNAND之后，将扩大矽穿孔(TSV)技术应用范围。矽穿孔技术是将
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传东芝前工程师泄密给韩国SK海力士
日本读卖新闻（Yomiuri）引述未具名消息人士指出，日本警方取得逮捕令，拘捕一名曾效力东芝半导体合作伙伴的日本技术人员。根据彭博报导，读卖新闻指出，这名技术人员于2008年离开东芝的半导体合作伙伴，之后转而投效
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SK海力士跨足系统半导体 第一步进军PMIC事业
日前SK海力士(SKHynix)宣誓将强化系统半导体事业，最近开始向PMIC(电源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8产线外，也可能透过购并南韩国内外相关业者提升竞争力，但SK海力士这招发展策略是否有效，其实仍充满诸多变数。
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三星、SK海力士扩充大陆后段制程 冲击后段协力厂
三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)记忆体晶片后段制程生产策略出现变化，由于加速扩充大陆后段制程产能，未来将增加自主生产数量，减少后段制程外包，使得南韩负责后段制程外包生产的协力厂商产生危
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三星、SK海力士拟扩大TSV技术 设备业者可望受惠
伴随半导体制程进化到3D结构，相关设备业者在股市上也倍受注目。南韩金融投资业界指出，三星电子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半导体业者在3DNAND之后，将扩大矽穿孔(TSV)技术应用范围。矽穿孔技术是将
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SK海力士跨足系统半导体 第一步进军PMIC事业
日前SK海力士(SKHynix)宣誓将强化系统半导体事业，最近开始向PMIC(电源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8产线外，也可能透过购并南韩国内外相关业者提升竞争力，但SK海力士这招发展策略是否有效，其实仍充满诸多变数。
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三星、SK海力士拟扩大TSV技术 设备业者可望受惠
伴随半导体制程进化到3D结构，相关设备业者在股市上也倍受注目。南韩金融投资业界指出，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半导体业者在3D NAND之后，将扩大矽穿孔(TSV)技术应用范围。 矽穿孔技
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SK海力士将强化系统半导体业务 做PMIC是第一步
日前SK海力士(SK Hynix)宣誓将强化系统半导体事业，最近开始向PMIC(电源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8产线外，也可能透过购并南韩国内外相关业者提升竞争力，但SK海力士这招发展策略是否有效，其实仍充满诸多变数
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受SK海力士火灾等因素影响 NAND品牌供应商Q4营收下滑4.5%
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，在NANDFlash业者原先对于2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影响NA
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2013年第四季NAND品牌供应商营收下滑4.5%
全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示，在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影
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4Q13全球DRAM产值续扬，连创5季新高
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，
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4Q13全球DRAM产值续扬，连创5季新高
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，
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4Q13全球DRAM产值续扬，连创5季新高
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，
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海力士陆续复工 DRAM合约价涨不动
南韩记忆体大厂SK海力士(SKHynix)开始尝试复工投片，尽管传出良率不佳，但产能增加的情况已影响PCOEM系统厂端的合约价，4GBDDR3记忆体模组维持在34美元，有涨不动的趋势。DRAM现货报价在2014年1月急涨一波，主要是大
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DRAM价格 下月恐再跌
研调集邦科技旗下DRAMeXchange昨（16）日表示，由于SK海力士无锡厂产出逐渐增加，DRAM市场供货吃紧的状态获舒缓，本月上旬合约价开始转趋走跌，2月起跌势恐加重。DRAM相关族群昨天受报价转趋走跌、恐冲击后续营运影响
