SK海力士宣布量产4D TLC闪存：96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps

根据外媒报道，SK海力士宣布量产4D TLC闪存，新工艺的闪存将会减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。

从SK海力士给出的资料图中可以看到，海力士4D闪存采用的是V5 512Gb TLC闪存，同时采用的是96层堆叠、I/O接口速度达到了1.2Gbps，同时SK海力士还宣布将会在第四季度量产这些芯片。

SK海力士表示采用BGA封装的芯片可以达到1Tb的规格，其中使用4D闪存制造的U.2接口SSD最高容量可以达到64TB。并且和3D闪存相比，全新的V5 4D闪存芯片面积减少20%，而读取速度提升了30%。