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手机供应商弃平板 转投4-5英寸高端智能机市场
北京时间6月17日上午消息（艾斯）据业内人士透露，品牌手机供应商及ODM（原始设计制造商）/OEM（原始设备制造商，俗称“贴牌”）手机制造商，此前一度将目光投向了平板电脑PC市场，但由于最近Android系统
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DM型电猫电路
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DM-2型电猫电路电路
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DM-1型电子捕鼠器电路
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阿朗获俄MTS光传送网合同 将部署WDM方案
北京时间6月15日早间消息（蒋均牧）阿尔卡特朗讯（下称“阿朗”）宣布，俄罗斯MTS（Mobile TeleSystems OJSC）已选择其WDM（波分复用）解决方案来部署其大都会区的光传送网。根据合同，阿朗将在4个俄罗斯
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基于TDM的以太网接入解决方案
CCOM利用网桥技术、研发出系列网桥，基于现有TDM网络灵活实现互联网接入和以太网互连，充分挖掘现有网络潜力。 “CCOM”的网桥设备包括以下几种(CCOM推出的网桥均可支持G.8040标准)： NIC-EBS/L/V：
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PDM/CAPP系统在上核的应用
在上核信息化建设的过程中，已成功利用 CAD/CAE/CAM 等技术实现了核电设备研发、设计、优化分析和制造的数字化，极大地提高了核岛蒸汽发生器和核岛主设备等产品的设计质量和设计速度。但核电设备的加工和制造需多专业
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台积电 加入EIDEC联盟
台积电(2330)及日本IDM厂客户瑞萨电子（Renesas）决定加入由日本半导体业联合出资成立的EUVL基盘开发中心（EIDEC），与英特尔、三星、信越化学、旭硝子等国际级半导体厂合作，共同投入次世代极紫外光（EUV）微影技术
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飞兆推出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块
21ic讯 电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战， 飞兆半导体公司(Fairchild Semicondu
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飞兆推出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块
21ic讯 电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战， 飞兆半导体公司(Fairchild Semicondu
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语音传输网络在公安中的应用
在公安通信系统中语音通信系统具有十分重要的地位，指挥调度、报警电话等依靠的基本全是语音通信。在公安通信系统中语音业务的传输容量相当大，需要接入的语音设备具有大容量语音业务的传输能力。据此，北京瑞光极远
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LSI推出新型高密度多业务处理器LCP5400
LSI推出新型高密度多业务处理器LCP5400
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艾笛森股东会报喜 Q2营收看增1～2成
led高功率封装厂艾笛森(3591)举行股东会，董事长吴建荣指出，LED市场变化迅速，上半年LED背光需求走弱，LED厂涌入照明市场，艾笛森也感受来自杀价竞争的压力，为了追求获利的稳定成长，艾笛森将专注发展照明整合服务
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高通MDM9x00芯片组获2011年LTE全球峰会大奖
在近日举行的2011年LTE全球峰会上，高通公司MDM9x00系列芯片组从众多入围者中脱颖而出，获得2011年LTE技术大奖——最佳芯片组/处理器产品。 LTE全球峰会是LTE领域级别最高、规模最大的会议；该峰会颁发的奖项由来自全
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台湾集成电路封测厂近来订单激增 预计第三季营收成长强劲
日本强震对半导体影响逐渐解除，下游业者积极回补库存，日月光、硅品、京元电、欣铨、硅格等封测业者，喜迎整合组件大厂（IDM）急单涌至，第三季可望展现强劲爆发力。高通、英飞凌、德仪、东芝和飞思卡尔均是日月光主
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台湾集成电路封测厂第三季营收强劲增长
日本强震对半导体影响逐渐解除，下游业者积极回补库存，日月光、硅品、京元电、欣铨、硅格等封测业者，喜迎整合组件大厂（IDM）急单涌至，第三季可望展现强劲爆发力。高通、英飞凌、德仪、东芝和飞思卡尔均是日月光主
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狂吞IDM大单 封测厂下半年展望
日本强震对半导体影响逐渐解除，下游业者积极回补库存，日月光（2311）、矽品、京元电、欣铨、矽格等封测业者，喜迎整合元件大厂（IDM）急单涌至，第三季可望展现强劲爆发力。 高通、英飞凌、德仪、东芝和飞思卡尔
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic讯 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件
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封测业 狂吞IDM大单
日本强震对半导体影响逐渐解除，下游业者积极回补库存，日月光（2311）、矽品、京元电、欣铨、矽格等封测业者，喜迎整合元件大厂（IDM）急单涌至，第三季可望展现强劲爆发力。 高通、英飞凌、德仪、东芝和飞思卡尔
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic讯 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件
