台积电 加入EIDEC联盟

台积电(2330)及日本IDM厂客户瑞萨电子（Renesas）决定加入由日本半导体业联合出资成立的EUVL基盘开发中心（EIDEC），与英特尔、三星、信越化学、旭硝子等国际级半导体厂合作，共同投入次世代极紫外光（EUV）微影技术研发。由于日本IDM厂已经陆续宣布，28纳米以下先进制程将与晶圆代工厂合作，台积电此举将可争取到更多日本IDM厂委外订单。

台积电目前量产中的40纳米及28纳米，均采用双重曝影（double patterning）的浸润式（immersion）微影技术，现在研发中的20纳米也将持续采用双重曝影浸润式微影技术生产，但英特尔日前在美国举行的设计自动化会议（DAC）中，透露将于2013年下半年，开始以EUV微影技术试产14纳米制程，所以台积电未来微影技术也可望朝向EUV方向发展。

根据日本媒体报导，由日本11家半导体业者合资成立的EIDEC研发中心，将投入EUV技术的研发，预计2015年底前完成微影制程的开发，并可望导入量产。

据了解，包括台积电在内的各家EIDEC成员，将自6月中旬开始派员至日本茨城县研发中心，展开第一阶段的研发作业，共同针对光罩、曝光材料、微影装置、设计流程等进行合作开发，以加速EUV导入量产的速度。

台积电今年已经向微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）采购EUV设备，安装在竹科12寸厂Fab12这座超大晶圆厂（GigaFab）当中，用以发展新世代的制程技术，台积电希望能成为全球第一个可在自有晶圆厂发展EUV微影技术的晶圆代工厂。

业界预期，台积电加入EIDEC研发中心后，可望与瑞萨、富士通、索尼、东芝等日本IDM厂有更深入的技术合作，未来不仅可望取得日本IDM厂的28纳米及20纳米代工订单，在接下来的14纳米及10纳米世代，若能顺利导入EUV微影技术，台积电也将成为日本IDM厂的重要晶圆代工合作伙伴。