-
08年NAND厂商营收排名 三星蝉联冠军
集邦科技(DRAMeXchange)公布2008年NAND Flash厂商营收，三星(Samsung)以46亿1,400万美元、市占率40.4%，蝉联第一名宝座；集邦表示，观察2007年与2008年NAND Flash品牌市场变化，2007年品牌厂商全年营收约为133亿6,80
-
NAND Flash品牌厂商2008年营收排名出炉 三星蝉联榜首
2008年第四季全球NANDFlash品牌厂商整体营收为22亿2千7百万美元，较上一季的27亿6千1百万美元下跌19.3%。2008年第四季NANDFlash品牌厂商营收均呈现衰退，由于持续受到全球总体经济表现疲弱的冲击，全球消费者信心指数
-
后奇梦达时代来临 DRAM、SDRAM、Flash 3方得利
奇梦达(Qimonda)向德国政府申请破产后，全球将近10%的DRAM产能确定人间蒸发，激励农历春节假期后的开工首日，DRAM品牌和eTT的颗粒价格即大涨25%，创下近年来最剧烈的单日涨幅，各家DRAM厂虽然不意外，但仍是掩不住笑
-
2008年Hynix巨亏32亿美元
在存储器市况恶劣的背景下，Hynix日前公布第四季度亏损9.64亿美元。 相比之下，去年同期亏损额为3.35亿美元，第三季度亏损12亿美元。 “DRAM价格下跌43%，NAND flash价格下跌18%，而位出货量DRAM为持平，NAND flas
-
2008年海力士巨亏32亿美元
在存储器市况恶劣的背景下，Hynix（海力士）日前公布第四季度亏损9.64亿美元。相比之下，去年同期亏损额为3.35亿美元，第三季度亏损12亿美元。“DRAM价格下跌43%，NAND flash价格下跌18%，而位出货量DRAM为持平，NAN
-
Adobe与苹果合作开发iPhone版Flash
北京时间2月1日上午消息，据国外媒体报道，Adobe CEO山塔努·纳拉延(Shantanu Narayen)日前在出席达沃斯世界经济论坛(WEF)时表示，将与苹果合作为iPhone(手机上网)手机开发一款Flash软件。纳拉延在接受采访时称
-
年终总结－－记一个30岁的不成功人士
楼上有位兄台提了个帖子《IT民工如何写年终总结》，如何写？这个困扰我多年的问题，估计你也一样，为了应付领导，写一些自己不愿意写的东西。如何写？我今年30，会点C,冒充软件工程师，混迹电子行业。当前处境和“IT
-
年终总结－－记一个30岁的不成功人士
年终总结－－记一个30岁的不成功人士
-
DRAM模块厂顺水推舟 1GB DDR2模块喊上10美元
DRAM颗粒从0.5美元的谷底反弹至1美元，价格足足翻了1倍之多，DRAM模块厂原本对涨价抱持观望的态度，但近日已开始着手调涨售价，估计2008年12月下旬至今，累计涨幅超过10%，8日1GB容量DDR2模块的最高价喊出10美元，是
-
集邦：2009年NAND Flash位增长持续下修至81％
由于各项NAND Flash相关应用产品需求持续下滑，集邦科技 (DRAMeXchange)对2009年NAND Flash增长幅度持续下修，2008年9月预估为108.2%，10月份则微调至95.3%，11月持续下修至93%，12月份随着上游厂商持续减产，整体增
-
海力士美光献NAND Flash技术 台厂不领情解决DRAM困境最优先
随着美、日大厂与台湾DRAM厂整合计划如火如荼展开，韩国大厂海力士(Hynix)眼看屈居下风，合作伙伴茂德恐将琵琶别抱，决定双手奉上NAND Flash制程技术，希望争取台湾政府金援机会，并让茂德回心转意。茂德董事长陈民良
-
TMS320F2812片内Flash在线烧写技术研究
基于TMS320F2812内部F1ash在线烧写技术，提出了一种串口烧写Flash技术。详细论述了烧写技术的实现步骤．给出了关键部分的程序代码。通过对比发现，基于JTAG接口烧写技术常用于调试阶段，而串口烧写技术能够应用于一些特殊场合，并能提高系统的可维护性。
-
TMS320F2812片内Flash在线烧写技术研究
基于TMS320F2812内部F1ash在线烧写技术，提出了一种串口烧写Flash技术。详细论述了烧写技术的实现步骤．给出了关键部分的程序代码。通过对比发现，基于JTAG接口烧写技术常用于调试阶段，而串口烧写技术能够应用于一些特殊场合，并能提高系统的可维护性。
-
掌握闪存技术 才能解救台DRAM产业
由于产业先前进入景气循环的低潮，继之又碰到史上罕见的全球景气衰退，DRAM产业的形势到了2008年下半已经到极为险峻的地步。这不仅发生在国内，也发生在全球各DRAM厂。内存产业是台湾半导体产业的两大支柱之一，台湾
-
减产效应提前浮现，NAND Flash价格止跌反弹
据报道，东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)减产效应提前浮现，三星电子(Samsung Electronics)眼看机不可失也趁机锁货，狠狠推了一把，导致小型记忆卡 microSD 价格单日大涨50%，创下有史以来单日最大涨幅。通路商表示，原
-
受益东芝海力士减产 NAND闪存价格回稳
12月25日消息，据台湾媒体报道，NAND Flash12月下旬合约价出炉，终止先前下跌趋势，至少都以平盘以上开出，主流规格晶片涨幅更在16%以上，随价格回稳走扬，将有助创见、威刚、群联等模组业者降低库存跌价损失压力。
-
减产效应浮现 NAND Flash价格上涨
据DigiTimes网站报道，东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)减产效应提前浮现，三星电子(Samsung Electronics)眼看机不可失也趁机锁货，狠狠推了一把，导致小型记忆卡microSD价格单日大涨50%，创下有史以来单日最大涨幅。通
