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GaN微型显示器可以彻底改变神经外科手术
一种基于在 Qromis 的 QST 基板上生长的氮化镓的新设备已被设计出来，旨在为神经外科医生提供关键的术中数据，以改善决策。这种先进的薄膜将电极网格与发光二极管 (LED) 结合在一起，以在手术过程中实时显示和跟踪大脑活动。这对于确保安全切除肿瘤和癫痫组织等脑部缺陷非常重要。
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基于 GaN 的 PFC可以提高 HVAC 热泵效率
许多国家/地区都普遍使用燃气和燃油锅炉以及熔炉来为住宅和商业室内空间提供空间和水加热。可以替代这些基于化石燃料的系统的电热泵被视为空间和水加热应用中脱碳的关键要素。在本文中，我们将总结一个可用于为热泵供电的功率校正因子 (PFC) 级参考设计示例。德州仪器 (TI) 的这个参考设计使用基于氮化镓 (GaN) 的 PFC来提高功率转换效率，并提供了一个如何使用宽带隙 (WBG) 半导体的示例例如碳化硅(SiC)和GaN可以进一步激励日常能源需求的电气化。
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集成电路 p 栅极 GaN HEMT 中的栅极过压稳定性
功率转换器中使用的氮化镓 (GaN) 器件具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频开关。横向 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件在此类应用中实现了强劲的市场增长。这种本质上为耗尽模式的器件的栅极驱动具有挑战性，有许多解决方案可以将其转变为稳健的增强模式操作。
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宽带隙半导体组装和测试解决方案
全球功率半导体市场包括分立元件、模块和集成电路，服务于汽车、工业和消费电子领域。为了利用电气化趋势，Carsem 密切关注日益增长的电动汽车(EV) 和可再生能源产品领域。
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SiC功率器件生产规模效益扩大，英飞凌全球最大8英寸SiC晶圆厂正式进入生产营运
正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单，并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。值得一提的是，这些设计订单来自不同行业的客户，包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。 随着居林工厂第三厂区的正式运营投产，英飞凌正在持续扩大其在SiC生产制造领域的规模优势，提升产能效益，同时将宽禁带功率器件带入到一个更为广阔且多元的应用版图，助力行业向更高效、更可持续的未来迈进。
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英飞凌实现GaN技术突破——单片高压CoolGaN BDS大幅简化双向开关设计GaN
受到低碳可持续发展和AI两大需求方向推动，全球功率半导体市场正在飞速增长，预计到2026年将达到262亿美元市场规模。传统的硅基设备（包括整流器、晶闸管、双极型晶体管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模块及IPM）在某些应用中会有所增长，但在其他市场正逐步被宽带隙（WBG）技术产品所取代。氮化镓（GaN）预计会快速增长，目前主要应用在消费电子领域，但将逐步进入工业和汽车领域。碳化硅（SiC）则将继续在高功率汽车和工业应用中保持增长并扩大渗透率。具体市场估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管），包括分立器件和集成器件，市场规模约为10亿美元；SiC MOSFETs和二极管，包括分立器件和模块，市场规模约为30亿美元。
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什么是氮化镓充电器?如何选择氮化镓充电器?
氮化镓基发光二极管，电子学术语，GaN 是一种宽带隙化合物半导体材料，具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一。
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GaN智能功率模块（IPM），让家电走向超静音和能效新高度
在系统成本不增加的前提下，让家电变得更加静音和高效，是设计工程师们关注的重点。而GaN器件凭借着更高的开关频率和更好的能效表现，开始逐渐进入家电设计者的视野。
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栅极驱动器及其关键作用
碳化硅和氮化镓开关器件是电源电路中的主要元件。虽然这些器件在运行速度、高电压、处理电流和低功耗等固有特性方面表现出更高的性能，但设计人员往往只关注这些器件，而经常忽略相关的驱动器。
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德州仪器推出先进的 GaN IPM，打造尺寸更小、能效更高的高压电机
650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸...
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德州仪器推出先进的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机
· 650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。 · 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。
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GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期
功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——氮化镓（GaN）功率器件应用从快充起步已获得显著的商业化进展，EV的逆变器则率先采用了碳化硅（SiC）。
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低功耗 GaN 在常见交流直流电源拓扑中的优势
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。
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CGD为电机控制带来GaN优势
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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英飞凌：稳居全球功率和汽车半导体之首， 首次拿下全球汽车微控制器NO.1
英飞凌位列2023全球半导体供应商第九，稳居全球功率和汽车半导体之首。2023年英飞凌汽车MCU销售额较上年增长近44%，约占全球市场的29%，首次拿下全球汽车MCU市场份额第1。
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CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本，并提高了可靠性
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CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录
为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W USB-PD适配器
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将功率密度卷出新高度，TI发布集成驱动GaN LMG21/3100和汽车级隔离DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是电源设计的永恒话题，而随着近年来各类创新应用对于功率等级的提高，要在同样甚至更小的体积中达成同样的供电需求，就势必要把功率密度推向更高的纬度。而追求电源设计功率密度的提升，最根本的是要从器件层面入手。对于电源芯片而言，提升功率密度绝非易事。在提升的同时，就会面对着来自散热、EMI等因素带来的反制。功率密度的提升绝非提高电压电流那么简单，而是需要来自芯片前道的材料、工艺、电路设计和来自后道封装的多方面配合。那么如何克服一系列的挑战，将电源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日发布的100V GaN驱动芯片LMG21/3100和隔离DC/DC UCC33420-Q1，我们可以从中找到答案。
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新加坡芯片厂突然倒闭，员工解散！
业内消息，近日新加坡 RF GaN（射频氮化镓）芯片供应商 Gallium Semiconductor（加联赛半导体）突然终止业务并解雇所有员工，包括位于荷兰奈梅亨的研发中心。
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英飞凌：增强功率系统领域的领导地位，助力低碳可持续发展
如何把握住2024年的行业新机遇，实现技术突破创新，赋能各类新兴应用的发展？新一年伊始，我们采访到了英飞凌科技全球高级副总裁暨大中华区总裁、英飞凌电源与传感系统事业部大中华区负责人潘大伟，他和我们分享了英飞凌这一年来的成绩，以及对于明年的市场趋势展望。
