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美国封锁，中国破冰！建厂/6英寸GaN...国内捷报不断
众所周知，从今年8月开始的《芯片与科学法案》，再到10月的出口管制措施，美国试图不断通过各种措施来限制我国半导体领域获得先进技术。也正是因为美国的封锁让行业产生了危机感，我国的半导体也在积极寻求破冰崛起。
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PCIM 上各家公司的最新GaN 功率半导体产品
在PCIM Europe上，电力电子制造商展示了他们在宽带隙 (WBG) 技术方面的最新创新和进步。硅功率器件制造商也实现了性能改进。尽管硅在电力电子市场占据主导地位，但 WBG 半导体正在各种应用中取得巨大进展，包括数据中心、工业控制、汽车和电动汽车。特别是氮化镓 (GaN) 等 WBG 半导体在快速充电器设计方面取得了长足进步，而碳化硅 (SiC) 预计将在 800 伏 (V) 电动汽车中出现巨大需求。
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用于功率转换的 GaN 技术第一部分，电源转换系统介绍
从家用电器、笔记本电脑和数据中心到电动汽车，电源转换系统是每个电子设备的核心。在这个与 Wise-Integration 首席执行官 Thierry Bouchet 的播客中，我们将发现 GaN 在电源转换解决方案中的优势。Wise-Integration 是 CEA-LETI 的衍生公司，是一家从台积电开发 GaN 集成解决方案的公司，以使电源小型化并提高能源效率。
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用于功率转换的 GaN 技术第二部分，GaN 技术发展趋势
下一代功率器件必须采用满足性能、效率和价值要求的技术。正如您所提到的，GaN 已成为主要组件。然而，在评估 GaN 解决方案时，出现了一个问题，即什么是该应用的最佳解决方案。例如，GaN-on-silicon 和 GaN-on-silicon-carbide 或 GaN-on-GaN。在这种情况下，我们谈论的是垂直 GaN。GaN的默认衬底是硅或-碳化硅，对于碳化硅，在射频领域有很多应用，如你所知。在 GaN-on-GaN 中，我发现与其他产品相比，碳化硅的导热性比 GaN 高得多。你怎么看?技术在这方面的挑战和方向是什么?
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KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作开发下一代电车应用GaN技术
KYOCERA AVX和VisIC Technologies扩大合作，开展下一代电动汽车应用GaN技术开发 耐斯兹敖那、以色列和萨尔茨堡和奥地利2022年10月27日 /美通社/ -- 结合KYOCERA AVX在分立和模块封装方面...
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GaN 晶体管的性能测试，器件GS61008T
GaN晶体管是新功率应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 进行实验。
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Dieter Liesabeths担任VisIC Technologies公司高级副总裁
汽车应用氮化镓（GaN）解决方案公司VisIC Technologies LTD宣布： Dieter Liesabeths将加入公司，担任产品高级副总裁。在过去的10年里，他在Wolfspeed GmbH担任高级总监，并建立了汽车部门。(能动Nengdong)...
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氮化镓技术讨论，第一部分
氮化镓提高了功率转换级的效率。GaN 很有吸引力，因为它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更便宜的总成本。在剑桥 GaN 器件业务开发副总裁 Andrea Bricconi 的讨论中，我们将分析这个宽带隙生态系统的最新技术，这些技术将推动下一步的改进。
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GaN 助力转向 800V 牵引逆变器
在过去的几年里，我们道路上的电动汽车 (EV) 的数量显着增加，给设计人员带来了严峻的挑战，例如最大限度地提高 EV 效率、优化充电基础设施和缩短充电时间。
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GaN FET：发烧友的首选技术
从智能设备充电器等低功率、低成本应用一直到高功率汽车应用，氮化镓 FET 正成为许多产品的广泛首选。大多数情况下，设计人员对 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。
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Nexperia最新发布的产品和Wise-integration 的GaN产品
Nexperia 是基本半导体领域的专家，最近宣布其最新产品添加到越来越多的分立器件中，该器件采用具有侧面可湿性侧面 (SWF) 的无引线 DFN 封装。这些节省空间且坚固耐用的组件有助于满足智能和电动汽车中下一代应用的需求
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GANT衬衫先锋承袭经典，暨沈阳K11全新门店正式启幕
"衬"出新我，再续传奇 沈阳2022年9月8日 /美通社/ -- 9月6日，GANT沈阳K11全新门店正式启幕。此次GANT以新店开幕为契机，回顾品牌标志性衬衫单品的诞生与历史，并演绎经历沉淀后的迭代蜕变，拥抱全新衬衫型格，"衬"出新我。...
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电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN
基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。
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用于下一代射频应用的氮化镓 (GaN) 概述
近二十年来，氮化镓 (GaN) 半导体技术已被曝光，预示着射频功率能力的范式转变。尽管所有这些承诺尚未兑现，但 GaN 器件已稳步进入许多射频、微波、毫米波 (mmWave)，甚至现在甚至是太赫兹波 (THz) 应用。
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ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高栅极耐压
新 EcoGaN™ 系列的第一个系列有助于降低数据中心和基站的功耗并实现更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 将栅极耐压(额定栅极-源极电压)提高到业界领先的 8V - 非常适用于工业设备(如基站和数据中心以及物联网)的电源电路通讯设备。
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第五部分
我的最后一个问题是关于展望未来：您如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了一些关于碳化硅的事情。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的价值?我们期望在哪里看到下一波增长?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第四部分
现在讨论的一个主题是器件的热管理方面，而宽带隙半导体、氮化镓，但不仅是碳化硅解决方案，承诺更高的工作温度和更高的效率。如您所知，在将这些设备设计到系统中时，设计人员还需要考虑热管理问题。那么，您的技术战略是什么，您如何看待随着功率密度的增加而对工艺和封装技术的未来发展产生影响的热管理需求?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第三部分
最新的GaN技术是把逻辑集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量与驱动程序和控制器连接，并且还可以节省成本，因此不需要额外的组件。因此，我们的解决方案可以像 MOSFET 一样被驱动。为什么E-Mode GaN HEMT选择集成逻辑而不是 GaN 驱动器的原因是什么吗?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第二部分
目前有几个 GaN 器件概念。那么，大家能告诉我从设计的角度来看，哪些是主要的，哪些是我们的发展方向?，关于GaN的十件事，有没有你更关注的点?
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用于电气化的下一代 GaN发展，第二部分
在半导体外延材料制造过程中，会产生位错，即材料中的缺陷。半导体中的缺陷越多，可以在晶片上生产的可用器件就越少，这会增加成本。此外，不良的材料界面会导致更高的器件通道电阻，从而导致更多的能量在运行过程中被浪费，从而降低芯片的能效。
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