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SiC 和 GaN：两种半导体的故事
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。 2010 年，当总部位于美国的 EPC 交付其超快速开关晶体管时，GaN 首次惊艳了整个行业。市场采用率尚未与 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能达到 10 亿美元。
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使用单个 PWM 信号控制 GaN 半桥功率级
分立氮化镓 (GaN) FET 的兴起增加了对更用户友好界面的需求，同时也提高了效率。半桥 GaN 功率级（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的单独驱动输入。两个输入（图 1 中的引脚 4 和 5）使我们能够优化效率，因为我们可以调整每个 FET 开启和关闭的确切点。
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如何赢得一半以上的碳化硅MOSFET市场份额，并将其持续扩大？
ST获得了全球50%以上的SiC MOSFET市场份额；并且在宽禁带半导体领域进行了衬底技术收购、产能投资，拥有了全生产链条的掌控力。本文分享了ST在SiC领域获得成功的原因，如何保持领先的未来战略规划，以及对于整个宽禁带器件行业的前景解读。
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使用GaN增加电源的功率，并且能够较小电源的体积优势
随着在晶体管制造中引入新的宽带隙材料，例如氮化镓 (GaN)，显着的品质因数改进转化为电源的潜在改进。使用比硅基半导体具有更高带隙的新型材料可以减小芯片尺寸，同时保持相同的阻断电压。
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电源提示：GaN 器件如何提高谐振转换器效率
近年来，诸如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 之类的宽带隙功率器件已开始商用。与高压 (≥600V) 硅 FET 相比，GaN 和 SiC FET 通常具有更低的导通电阻 (R ds(on) )、更低的输出电容 (C oss ) 和更少/没有反向恢复电荷 (Q rr )。由于其较低的开关损耗，我们可以大大提高具有宽带隙功率器件的硬开关转换器的效率。
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四方扁平无引线 (QFN) 封装的单通道 GaN 功率级产品
所有功率级设计人员都喜欢在开关节点看到完美的方波。快速上升/下降沿可降低开关损耗，而低过冲和振铃可最大限度地减少功率 FET 上的电压应力。
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使用高压 GaN 器件提高电源可靠性
氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提高了转换器效率，与具有相同额定电压的硅 FET 相比，具有更低的栅极电荷、更低的输出电荷和更低的导通电阻。在总线电压大于 380V 的高压 DC/DC 转换器应用中，耗尽型（d 型）GaN HEMT 比增强型（e 型）GaN HEMT 更受欢迎。
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使用氮化镓(GaN)提高电源效率
如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。
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第三代半导体潮起，我国GaN射频市场迎何机遇？
第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
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半导体发展及应用
以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。
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半导体发展
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。
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释放GaN全部潜力，GaNSense进一步提高GaN功率芯片集成度
随着苹果新一代的140W氮化镓（GaN）快充面世，GaN进一步走进了大众视线。GaN具备超过硅20倍的开关速度，3倍的禁带宽度。天然的优势可以让整体的电源设计功率密度更高，让整体电源方案体积和重量更小。但GaN作为一种新材料器件，要发挥其真正的优势，仍需要很多的新的技术积累来支撑...
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GaN管芯射频功率放大器的研究
摘要：给出了一种基于GaN管芯的C波段射频功率放大器的设计方法。该方法采用CREE公司的CGH60120D芯片，并利用ADS软件对管芯模型进行负载牵引，以得到管芯的最佳阻抗值，然后设计管芯的负载匹配电路和直流偏置电路。最后对整个电路系统进行仿真，使其达到预期的功率值。
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三款全新MasterGaN系列产品提供新的GaN配置，最高450 mΩ
点击“意法半导体PDSA"，关注我们！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件现在已发货至分销商处，支持工程师创建新的应用。MASTERGAN3的低侧电阻为225mΩ，高侧电阻为450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低侧和高侧电阻均为225m...
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GaN FET 成为下一代工业电源的优先选择
传统的电源主力——金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)——只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的情况下才能提高功率密度。
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TI 推出全新 GaN 技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器
点击上方蓝字关注我们！德州仪器（TI）今宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™实时微控制器（MCU），辅以台达（DeltaElectronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。与使用传统架构的企业服务器电源供应器...
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车载 GaN FET 可实现 HEVEV 的高频和稳健性设计
为了解决消费者对电动汽车 (EV) 普及的里程、充电时间和价格等问题，世界各地的汽车制造商都在增加电池容量而不增加尺寸、重量或组件成本。我正在寻找一种加快速度的方法充电。
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TI 推出全新 GaN 技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器
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TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器
TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本北京2021年9月23日/美通社/--德州仪器（TI）（纳斯达克代码TXN）今宣布其氮化镓（GaN）技术和C2000™实时微控制器（MCU），辅以台达（DeltaElectronics）长期耕...
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德州仪器推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器
（全球TMT2021年9月23日讯）德州仪器（TI）宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™ 实时微控制器（MCU），辅以台达（Delta Electronics）长期耕耘之
