晶圆代工厂世界先进第2季底已完成结束内存代工业务,第3季后将成为标准的逻辑IC晶圆代工厂,正式完成转型。由于近来晶圆代工产能仍然吃紧,LCD驱动IC及模拟IC业者对产能需求恐急,法人推估世界先进第2季营收季增率
经历了2009年一波痛苦的产业调整之后,中国大陆IC产业景气逐渐回复,2010年的新年开始,整个产业更出现春暖花开的局面,也令厂商对未来充满信心。 据拓墣产业研究所报告,经历了2009年一波痛苦的产业调整之后,
英特尔发布了用于科学计算等HPC(高性能计算)领域的多核处理器新架构“ManyIntegratedCore(MIC)”。MIC以该公司过去发布的16核“Larrabee”和48核“Single-chipCloudComputer(SCC)”等多核处理器的研究成果为基
为鼓励中国微电子设计工程师们发展和强化开发、应用能力,提高自主创新的设计机会,来拓展新产品的应用。北京时代民芯科技有限公司举办的首届“时代民芯”杯电子设计大赛,历经一年的时间,于2010年6月落下帷幕。探索
德国LED斗笠灯 优雅实用的完美体现 LED斗笠灯由德国Next8482;公司设计,用斗笠的造型作为设计元素,实现有机形态与几何元素之间的完美结合,看上去非常优雅漂亮。它既可以当吊灯,也可以作为壁灯使用。
Verayo是一家安全和认证解决方案供应商,宣布与印度最大的条形码和RFID技术公司之一Bartronics印度有限公司合作,为印度市场提供价格低廉的RFID产品。这种战略合作不仅加强了两家公司的长期合作关系,而且满足了印度
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布荣获端到端产品生命周期解决方案供应商 Celestica公司颁发2009年总体拥有成本 (Total Cost of Ownership, TCOOTM) 供应商奖项。有关奖项是表彰支持Celestica的TCOO 采购
Cadence设计系统公司宣布,总部位于中国北京的、领先的移动芯片组供应商创毅视讯科技有限公司已成功研制业界第一款长期演进时分双工(LTE-TDD、或 TD-LTE)基带芯片。该芯片支持下一代TD-CDMA无线通信协议的20MHz带宽
6月24日消息,据葡萄牙媒体报道,西班牙电信巨头Telefonica(TEF)已出售了其在葡萄牙电信公司(PT)的8%股份。本月早些时候,Telefonica上调了其对PT所持Vivo股份的收购报价,后者是两公司在巴西合资的一家移动通信公司
微型LED手电筒使用一节5号碱性电池可点亮6只高亮发光二极管,约40分钟后即自动关断,一节5号电池可使用5天,使用于个人夜间野营、旅游或夜读等照明,即经济又实惠。 工作原理:电路图中,IC为直流—直流转换器,它与
Altera公司宣布,StratixIVGTFPGA荣获TechAmerica基金会电子元器件类的美国技术奖。TechAmerica认为Altera的StratixIVGTFPGA在技术上非常出众,它专为满足当今宽带系统的性能和系统带宽需求而设计。6月16号在华盛顿举
(日尧)6月12日消息,为准备推出16种IDN.tel语言,专注于通信领域的获奖顶级域名(TLD) .tel 的注册运营商Telnic Limited 今天宣布,有史以来首个IDN.tel - http://xn--e1aggck1a.tel现已问世并提供访问。 Teln
Altera公司日前宣布,Stratix® IV GT FPGA荣获TechAmerica基金会电子元器件类的美国技术奖。TechAmerica认为Altera的Stratix IV GT FPGA在技术上非常出众,它专为满足当今宽带系统的性能和系统带宽需求而设计。6
随著半导体微缩制程演进,3D IC成为备受关注的新一波技术,在3D IC时代来临下,半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日,一起召开记者会对外宣布共同开发矽穿孔(TSV) 3D IC制程。据了解,由联电以
联电(2303)、尔必达(Elpida)及力成(6239)昨(21)日宣布,三方将结合在三维(3D)IC的设计、制造与封装等优势,投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存(DRAM)的3D IC完整解决方案,并导入联电的28奈米制程生
晶圆代工业者联电(2303)执行长孙世伟于今(21)日表示,联电将以自身在先进逻辑制程上的技术优势,与日商Elpida、力成(6239)等两大业者在3D IC领域上进行广泛的技术合作,且预计会以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿
复杂的温度对LED显示屏的影响 LED显示屏对环境温度非常挑剔。理论上在室温25℃左右,其工作状态最理想。但实际上,户外显示屏在应用中环境温度相当复杂,夏天最高温度可能在60℃以上,冬天的最低温度可能在-20℃以下
晶圆代工大厂联电(2303-TW)今天与DRAM模块厂力成(6239-TW)日本尔必达(Elpida)(6665-JP)共同宣布针对包括28奈米先进制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技术进行合作。 联电执行长孙世伟表示,有鉴于摩尔定律的成长已经趋缓
力成董事长蔡笃恭今日表示,只要3D IC的TSV技术率先达成熟阶段,市场需求自然会浮现。(巨亨网记者蔡宗宪摄) 日本DRAM晶圆大厂尔必达(6665-JP),台湾晶圆代工大厂联电(2303-TW)以及DRAM封测大厂力成(6239-TW)今(21
按VLSI报道2010年全球半导体业冲高,但是2011年有所回落。尽管全球宏观经济仍不乐观,但是半导体制造商仍对下半年的前景表示看涨。它们看到Q3的市场需求上升及库存有小幅增加。按VLSI最新报告,它们的看法与Gartner最