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联电尔必达力成 合攻3D IC
时间：2010-06-22 07:12:00
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[导读]联电（2303）、尔必达（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方将结合在三维（3D）IC的设计、制造与封装等优势，投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存（DRAM）的3D IC完整解决方案，并导入联电的28奈米制程生
联电（2303）、尔必达（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方将结合在三维（3D）IC的设计、制造与封装等优势，投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存（DRAM）的3D IC完整解决方案，并导入联电的28奈米制程生产，2012年首颗整合芯片将正式量产。
三家公司选定以硅晶圆穿孔（TSV）技术为基础，进行TSV 3D芯片开发。优先切入整合基频、射频、储存型闪存（NAND Flash）及DRAM等整合性芯片，抢食追求轻薄短小的手机及数字相机等消费性电子产品市场。
昨天三家公司由联电执行长孙世伟、尔必达社长坂本幸雄及力成董事长蔡笃恭共同签署技术合作协议。
孙世伟强调，尔必达在联电有多年的合作关系，去年首度以TSV技术，成功开发80亿字节的DRAM，联电也完成28奈米逻辑技术与逻辑设计接口，力成则在内存堆栈有深厚的技术，透过三方在TSV的优势结合，将缩短提供TSV 3D芯片整体解决方案的时程，成为摩尔定律外的另一个选择。
尔必达董事兼技术长安达隆郎表示，TVS技术最大的优势是可以在逻辑与DRAM组件间建立大量的I／O连结，可大幅增加数据传输的速率并且减少功率消耗，使新型式的高效能组件能够运作，这项择术必须有值得信赖的逻辑晶圆专工伙伴才能达成这个目标。
联电副总暨先进技术开发处长简山杰表示，针对TSV 3D芯片的前段制程研发，联电将与尔必达在日本共同开发，未来生产，若是联电的客户，将入在联电台湾的晶圆厂以28奈米先进制程生产，封装将由力成负责。
三家公司选定以硅晶圆穿孔（TSV）技术为基础，进行TSV 3D芯片开发。优先切入整合基频、射频、储存型闪存（NAND Flash）及DRAM等整合性芯片，抢食追求轻薄短小的手机及数字相机等消费性电子产品市场。
昨天三家公司由联电执行长孙世伟、尔必达社长坂本幸雄及力成董事长蔡笃恭共同签署技术合作协议。
孙世伟强调，尔必达在联电有多年的合作关系，去年首度以TSV技术，成功开发80亿字节的DRAM，联电也完成28奈米逻辑技术与逻辑设计接口，力成则在内存堆栈有深厚的技术，透过三方在TSV的优势结合，将缩短提供TSV 3D芯片整体解决方案的时程，成为摩尔定律外的另一个选择。
尔必达董事兼技术长安达隆郎表示，TVS技术最大的优势是可以在逻辑与DRAM组件间建立大量的I／O连结，可大幅增加数据传输的速率并且减少功率消耗，使新型式的高效能组件能够运作，这项择术必须有值得信赖的逻辑晶圆专工伙伴才能达成这个目标。
联电副总暨先进技术开发处长简山杰表示，针对TSV 3D芯片的前段制程研发，联电将与尔必达在日本共同开发，未来生产，若是联电的客户，将入在联电台湾的晶圆厂以28奈米先进制程生产，封装将由力成负责。
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