引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有M
采用IGBT作开关元件时,逆变器电路采用率联谐振逆变电路,如图3-33所示。这种电路的设计和工作原理与用SCR作开关的电路相同。要注意的是,IGBT和VMOS的控制极脉冲宽度必须等
IGBT、续流二极管构成的功率开关单元模块电路(a)所示为单开关模块;(b)所示为两单元(半桥)模块;(c)所示为H桥(单相桥)模块;(d)所示为不对称H桥模块;(e)所示为三相桥(六单元或
IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图
如今新能源汽车日益普及,但驱动汽车前进的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)国产化问题,一直困扰着国内新能源汽车厂。昨天,上海先进半导体制造公司与深圳比亚迪微电子公司签署战
1 概述上海首批交流传动地铁车辆,现编号为 AC01/02 型电动列车,是上世纪90 年代末从德国 引进的先进的交流传动车辆,其关键的核心部件 是采用当时先进的可关断晶闸管GTO
下图是应用检测IGBT集电极电压的过流保护原理,采用软降栅压、软关断及降低工作频率保护技术的短路保护电路
图中是利用IGBT(V1)过流集电极电压检测和电流传感器检测的综合保护电路,在短路时经电流传感器检测短路电流,经比较器IC1输出的高电平使V3导通进行降栅压,V2导通进行软关断。
由于逆变电源在电路中肩负着直流和交流之间的转换,所以其安全性就显得尤为重要。如果逆变电源出现短路的情况,那么就有可能出现烧毁的情况,想要有效避免短路情况的发生,
Fairchild大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗,降幅达30%。Fairchild采用工业和汽车市场中专为高/中速开关应用设计的新方案,提供了行业领先的性能水平,同时具有极强的闩锁效应,确保了优异牢固性和可靠性。Fai
近年来,中国的逆变焊机技术已日趋成熟,逆变焊机本身的技术和性能在不断提高,且得到各行业用户的认可,并逐渐进入国际市场。作为功率半导体市场领军者,英飞凌凭借丰富的经验和创新实力,重视中国本土客户的需求,全新推出针对于逆变焊机应用的34毫米IGBT功率模块Advantage系列,该系列产品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性价比,其品质和可靠性达到英飞凌一贯高标准。
Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗,降幅达30%。Fairchild采用工业和汽车市场中专为高/中速开关应用设计的新方案,提供了行业领先的性能水平,同时具有极强的闩锁效应,确保了优异牢固性和可靠性。Fairchild将在2015 亚洲PCIM中演示各种应用的测试结果和方案。
IGBT,功率模块,续流二极管
如今市场上先进功率元件的种类数不胜数,工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件,的确是一项艰巨的工作。就以太阳能逆变器应用来说,绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其
Analog Devices, Inc.(ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出ADuM4135 隔离式 IGBT 栅极驱动器,其可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。单封装 ADuM4135 集成 ADI 公司备受
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日发布600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,针对混合动力汽
设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术.日本FUJI公司的EXB841芯片是一种典型的适用于300A以下IGBT的专用驱动电路,具有单电源、正负偏压、过流检测、保护、软
本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路,设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT驱动电路。实验证明该电路具有良好的驱动及保护能力。绝缘门极双极型晶
近年来,人们使用的电器产品数量不断增多,致使每个家庭内的总能耗稳步上升,不仅大多数西方国家是这样,新兴国家亦是如此。与这些能耗相关的成本也已经增加,因为燃料资源
多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下,外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温